| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Hafnium-III-nitrid(HfN)- oder Zirkonnitrid-Schichten mittels des CVD-Verfahrens (chemical vapour deposition) aus einem Reaktivgas auf einer Substratoberfläche, die HfN-Schicht oder ZrN-Schicht und ihre Verwendung beschrieben. In dem Verfahren wird ein Hafnium- oder Zirkon-tetrakis(dialkylamid) der allgemeinen Formel DOLLAR A Hf(NR·1·R·2·)¶4¶ oder Zr(NR·1·R·2·)¶4¶, DOLLAR A wobei R·1· und R·2· gleiche oder verschiedene, geradkettige oder verzweigte C¶1¶- bis C¶4¶-Alkylreste bedeuten, als Hf-Prekursor bzw. Zr-Prekursor und ein Hydrazinderivat der allgemeinen Formel DOLLAR A H¶2¶N-NR·3·R·4·, DOLLAR A wobei R·3· einen geradkettigen oder verzweigten C¶1¶- bis C¶4¶-Alkylrest und R·4· unabhängig davon einen C¶1¶- bis C¶4¶-Alkylrest oder H bedeuten, als Reaktivgas verwendet.
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