Chip-Trägersubstrat aus Silizium mit durchgehenden Kontakten und Herstellungsverfahren dafür

摘要

Die vorliegende Erfindung beschreibt insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Chip-Trägersubstrats aus Silizium mit durchgehenden Kontakten. Die vorliegende Erfindung stellt eine innovative Technologie-Plattform zur Herstellung von hoch integrierten "System in Package"-Modulen auf Basis von Silizium-Trägern dar und findet Anwendung im Bereich der Kommunikationstechnik sowie Automobil- und Industrieelektronik (z. B. Hochfrequenzmodule für Mobiltelefone, Basisstationen oder auch Radarmodule für Automobile) oder anderen Bereichen, in denen eine Höchstintegration aus Platz- oder Kostengründen erwünscht ist.