| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtung in einem Halbleiterbauelement |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE4329260(B4) |
申请公布日期 |
2007.01.25 |
| 申请号 |
DE19934329260 |
申请日期 |
1993.08.31 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
PARK, CHANG-SOO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/283;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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