| 发明名称 |
2-Transistoren-Schmelzsicherungselement mit einzelner Polysiliziumschicht |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE112004002678(T5) |
申请公布日期 |
2007.01.25 |
| 申请号 |
DE20041102678 |
申请日期 |
2004.11.26 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
KOTHANDARAMAN, CHANDRASEKHARAN RAMAN;SHUM, DANNY PAK-CHUM |
| 分类号 |
H01L27/115;G11C16/04;G11C29/00;H01L21/336;H01L23/525;H01L29/788 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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