| 发明名称 | 具有优化图像浮散性能的图像传感器结构及工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种图像传感器，其具有一个在各个像素之间采用了隔离结构的像素阵列，该隔离结构可减小电学串扰。该像素阵列形成在基体中，而基体具有一个薄的(小于5微米)外延层。而且，该隔离结构采用了一个深P－阱以环绕浅沟槽隔离，其中，深P－阱一般是采用高于700keV的植入能形成的。 | ||
| 申请公布号 | CN1901213A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200610108192.3 | 申请日期 | 2006.07.24 |
| 申请人 | 豪威科技有限公司 | 发明人 | 霍华德·E·罗德斯;野崎英骏;真锅素平;泰信智;塞提亚得·H·那戈拉加;阿希什·A·莎哈;钱威廉;杨宏利;戴铁君 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人 | 戴建波 |
| 主权项 | 1、一种像素阵列，其包括：形成在半导体基体上且排列成形的多个像素，所述的半导体基体设有厚度小于5微米的薄外延层；以及形成在所述半导体基体内的隔离结构，所述的隔离结构分隔所述多个像素中至少一部分的相邻像素，而且所述的隔离结构包括至少一个向所述外延层延伸超过大约1.2微米的深p-阱。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维尔市 | ||