| 发明名称 | 具有金属和硅化物栅电极的CMOS器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 描述了一种半导体器件以及形成它的方法。该半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1902749A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200480039412.0 | 申请日期 | 2004.12.22 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·K·布拉斯克;M·L·多茨;J·卡瓦利罗斯;M·V·梅茨;C·E·巴恩斯;U·夏;S·达塔;C·D·托马斯;R·S·仇 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种用于制作半导体器件的方法，包括：在衬底的第一部分上形成金属NMOS栅电极；以及在衬底的第二部分上形成硅化物PMOS栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||