发明名称 页缓冲器电路及采用该电路读取和编程数据的方法
摘要 提供了一种减小了尺寸的页缓冲器电路、以及用于读取和编程数据的方法。在读取操作中,页缓冲器电路通过交替地使用高位或低位寄存器来读取数据位,而不管来自多电平元件的数据位是高位还是低位,从而减小了电路面积,并且改善了操作性能。
申请公布号 CN1901091A 申请公布日期 2007.01.24
申请号 CN200510135714.4 申请日期 2005.12.28
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 成镇溶;元嘇规
分类号 G11C16/06(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/26(2006.01);G11C7/00(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 邸万奎;黄小临
主权项 1.一种快闪存储器设备,包括:存储器元件阵列,包括多个多电平元件,每个元件被配置成存储至少两位数据,并耦接到至少一对位线;以及页缓冲器电路,耦接到该存储器元件阵列,并且包括:高位寄存器,响应于第一或第二读取控制信号,对检测节点的电压进行检测,并且根据检测结果存储第一或第二高检测数据位,并且响应于第一或第二高读取控制信号、以及通过输入/输出节点接收的输入数据位而存储第一或第二内部数据位;输出驱动电路,响应于第一高检测数据位、第二高检测数据位、第一内部数据位和第二内部数据位中的一个,生成输出数据位;低位寄存器,响应于第一或第二低读取控制信号,对检测节点的电压进行检测,并且根据检测结果存储第一或第二低检测数据位;第一传送电路,响应于第一编程控制信号,将输出数据位传送到检测节点;以及第二传送电路,响应于第二编程控制信号,将第一或第二低检测数据位传送到检测节点。
地址 韩国京畿道