发明名称 |
用于保持晶片上的接合焊垫超洁净的方法 |
摘要 |
本发明教示一种在芯片上具有超洁净接合焊垫的被切割开的晶片,其增强了引线接合的强度,并导致了封装半导体芯片的较高的成品率和提高的可靠性。准备用于切片的洁净晶片涂覆有可去除的绝缘水溶性非电离薄膜,该薄膜增强了切口的洁净度并减少了堆积。通过加热来硬化保护膜,并且其可抵抗被用在划片机中的冷却水去除。然而,切片后在晶片洗净器中利用高压温热的去离子水(D.I.水)可将保护膜去除。去除保护膜后该电极焊垫实质上与切片之前一样洁净。该薄膜可在切割开的晶片准备使用之前一直用作保护层。 |
申请公布号 |
CN1296988C |
申请公布日期 |
2007.01.24 |
申请号 |
CN03810113.0 |
申请日期 |
2003.07.09 |
申请人 |
赋权新加坡私人有限公司 |
发明人 |
罗伯特·卡罗尔·鲁尼恩;何京臻 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01);B28D5/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
王允方;刘国伟 |
主权项 |
1.一种保护晶片接合焊垫在切单或切片期间不受硅晶片粉尘和杂质污染的方法,包括如下步骤:提供一安装于一切片带上的待切割的洁净晶片;将一中性硬化水溶性薄膜施加到待切割的晶片表面之上;切割穿过所述水溶性薄膜和所述晶片并部分地进入所述切片带;在切割晶片时不去除水溶性薄膜的情况下,使用洁净冷却水冷却所述的晶片;利用高压洁净的温暖的去离子水在一晶片洗净器中清洗所述晶片,以从单个芯片的表面及所述晶片切口处去除所述中性的硬化水溶性薄膜;以及在从安装于所述切片带上的所述晶片处移去单个芯片前干燥所述晶片。 |
地址 |
新加坡新加坡 |