| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法、以及使用薄膜晶体管的显示器 | ||
| 摘要 | 本发明提供呈现出较高电子(或空穴)迁移率的薄膜晶体管、用于制造薄膜晶体管的方法、以及使用该薄膜晶体管的显示器。本发明提供一种薄膜晶体管，其在晶体沿水平方向生长的半导体薄膜(4a)中具有源极区(S)、沟道区(C)和漏极区(D)，该薄膜晶体管在沟道区(C)上具有栅绝缘膜(11)和栅电极(12)，其中将与沟道区(C)相邻的漏极区(D)的漏极边缘(10)形成在晶体生长结束位置(8)的附近。 | ||
| 申请公布号 | CN1901230A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200610151400.8 | 申请日期 | 2006.07.05 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 中崎能彰;河内玄士朗;蕨迫光纪;松村正清 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种n-沟道型薄膜晶体管，其在半导体薄膜中具有源极区、沟道区和漏极区，该半导体薄膜具有晶体沿水平方向生长的结晶区，该薄膜晶体管在该沟道区上具有栅绝缘膜和栅电极，其特征在于：将漏极或源极区的沟道区侧边缘设置在该结晶区中在距离晶体生长起始位置或垂直生长起始位置大约1.0μm内或者远离所述晶体生长起始位置大约2.0至3.8μm或大约4.6至5.0μm。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||