发明名称 |
使用铁电栅极场效应晶体管的非易失性存储器和制造方法 |
摘要 |
垂直铁电栅极场效应晶体管(FeGFET)器件包括衬底和在衬底的上表面上制成的第一漏极/源电极。在第一漏极/源电极的上表面上制成导电沟道区并与第一漏极/源电极通电。FeGFET器件进一步包括至少在沟道区的一个侧壁制成的铁电栅极区,至少一个栅电极与铁电栅极区通电,在沟道区的上表面制成的并与沟道区通电的第二漏极/源电极。铁电栅极区响应在栅电极和第一和第二漏极/源电极中的至少一个之间施加的电势有选择地可极化。可以制成包括许多FeGFET器件的非易失性存储器阵列。 |
申请公布号 |
CN1297015C |
申请公布日期 |
2007.01.24 |
申请号 |
CN03158199.4 |
申请日期 |
2003.09.17 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
詹姆斯·A·密斯维其;威廉·R.·里尔;阿里间德罗·G.·施罗特;王力冈 |
分类号 |
H01L29/772(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8239(2006.01);G11C11/22(2006.01);G11C14/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:在硅衬底上制成的包括漏极区和源极区的场效应晶体管;以及用于存储半导体器件的逻辑状态的铁电栅极场效应晶体管,该铁电栅极场效应晶体管包括:在衬底的上表面上制成的并与场效应晶体管的漏极区和源极区中的某一个电连接的栅电极;在栅电极的上表面上制成的铁电栅极介质层;在铁电栅极介质层的上表面制成的导电沟道层;以及第一和第二漏极/源电极,第一和第二漏极/源电极在沟道层上制成并与沟道层的横向相对的两端电连接;其特征在于,铁电栅极介质层响应在栅电极和第一和第二漏极/源电极之间施加的电势有选择地可极化。 |
地址 |
美国纽约 |