发明名称 自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置
摘要 一种自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置,用于材料表面改性领域。本发明包括:注入元素蒸发系统,注入元素导入系统,离化和注入或者注入且沉积系统,真空系统,注入元素蒸发系统连接到注入元素导入系统,注入元素导入系统再连接到离化和注入或者注入且沉积系统,离化和注入或者注入且沉积系统位于真空系统内部。本发明使得注入的整个过程都比较稳定且可以最大幅度降低对真空系统的污染;利用自辉光产生等离子体,不再需要额外的等离子激发装置,节约成本,利用空心阳极,大面积阴极技术形成聚焦电场,电子向阳极的聚焦,提高了辉光放电的离化率,提高了注入或者注入且沉积的效率。
申请公布号 CN1296515C 申请公布日期 2007.01.24
申请号 CN200410018294.7 申请日期 2004.05.13
申请人 上海交通大学 发明人 李刘合;蔡珣;陈秋龙;朱剑豪
分类号 C23C14/48(2006.01) 主分类号 C23C14/48(2006.01)
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 王锡麟;王桂忠
主权项 1、一种自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置,包括:注入元素蒸发系统(1),注入元素导入系统(2),离化和注入或者注入且沉积系统(3),真空系统(4),其特征在于,注入元素蒸发系统(1)连接到注入元素导入系统(2),注入元素导入系统(2)再连接到离化和注入或者注入且沉积系统(3),离化和注入或者注入且沉积系统(3)位于真空系统(4)内部,离化和注入或者注入且沉积系统(3)或者直接连接到真空排气装置上;对于低熔点高蒸汽压固态物质元素,注入元素蒸发系统(1)包括:加热腔体(5)、源加热装置(6)、加热腔体外屏蔽罩(7)、载气导入孔(8)、蒸汽导出孔(9),其连接关系为:源加热装置(6)连接在加热腔体(5)外部,源加热装置(6)外部有加热腔体外屏蔽罩(7),加热腔体(5)连接到一个载气导入孔(8),加热腔体(5)通过蒸汽导出孔(9)连接在注入元素导入系统(2),在蒸汽导出孔(9)外面,或者设置加热装置,该加热装置是独立的加热装置,或者与加热腔体(5)共用源加热装置(6);对于本身就是气态或者汽态的注入物质注入元素蒸发系统(1),是一个连接到注入元素导入系统(2)的管道;所述的离化和注入或者注入且沉积系统(3)包括一个空心阳极(15),一个离化和注入或者注入且沉积腔体(16),工件靶台(17),靶台支架(18),工件(19),其连接关系为:空心阳极(15)连接到外部高压电源的正高压端,空心阳极(15)的外面,是离化和注入或者注入且沉积腔体(16),离化和注入或者注入且沉积腔体(16)中,设置一个比空心阳极(15)的表面积大的导电或者局部导电的工件靶台(17)作为阴极,工件靶台(17)是平面形状或球面形状,工件(19)放在工件靶台(17)上,工件靶台(17)通过靶台支架(18)连接到外部高压电的负高压端。
地址 200240上海市闵行区东川路800号