| 发明名称 | 影像传感器的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制作影像传感器的方法，方法包括提供一个半导体基底，且半导体基底包括像素阵列区域与逻辑区域，于像素阵列区域的半导体基底中形成多个感光二极管，于半导体基底上进行多重金属内连线工艺，于像素阵列区域和逻辑区域上沉积护层，去除像素阵列区域上方的护层，以及于像素阵列区域中形成多个滤光阵列，并分别对应各感光二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN1901210A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200510084862.8 | 申请日期 | 2005.07.19 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 李盛进 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制作影像传感器的方法，该方法包括：提供一半导体基底，且该半导体基底包括一像素阵列区域与及一逻辑区域；于该像素阵列区域的该半导体基底中形成多个感光二极管；于该半导体基底上进行一多重金属内连线工艺；于该像素阵列区域和该逻辑区域上沉积一护层；去除该像素阵列区域上方的该护层；以及于该像素阵列区域中形成多个滤光阵列，并分别对应各该感光二极管。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||