发明名称 | 双镶嵌结构的制造方法 | ||
摘要 | 一种双镶嵌结构的制造方法,首先,在衬底上依序形成阻障层、第一介电层、第二介电层、多层掩模层、第一底部抗反射层与图案化第一光致抗蚀剂层。接着。以图案化第一光致抗蚀剂层为掩模,进行蚀刻以得到第一沟槽结构。然后,形成第二底部抗反射层,以填满第一沟槽结构,并且覆盖多层掩模层的表面。接着,在第二底部抗反射层上形成图案化第二光致抗蚀剂层,并以图案化第二光致抗蚀剂层为掩模,进行蚀刻以得到第一介质窗结构。之后,蚀刻第一沟槽结构与第一介质窗结构,以得到第二沟槽结构与第二介质窗结构。 | ||
申请公布号 | CN1901156A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
申请号 | CN200510084847.3 | 申请日期 | 2005.07.19 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王志荣 |
分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1.一种双镶嵌结构的制造方法,包括:在一衬底上形成一阻障层;在该阻障层上形成一第一介电层;在该第一介电层上形成一第二介电层;在该第二介电层上形成一多层掩模层;在该多层掩模层上形成一第一底部抗反射层;在该第一底部抗反射层上形成一图案化第一光致抗蚀剂层;以该图案化第一光致抗蚀剂层为掩模进行蚀刻步骤,以得到一第一沟槽结构,其中该第一沟槽结构的一底部是位于该多层掩模层内部;移除该图案化第一光致抗蚀剂层与该第一底部抗反射层;形成一第二底部抗反射层,以填满该第一沟槽结构并且覆盖该多层掩模层的一表面;在该第二底部抗反射层上形成一图案化第二光致抗蚀剂层;以该图案化第二光致抗蚀剂层为掩模进行蚀刻步骤,以得到一第一介质窗结构,其中该第一介质窗结构的一底部暴露出该第一介电层的一表面;以及蚀刻该第一沟槽结构与该第一介质窗结构,以得到一第二沟槽结构与一第二介质窗结构,其中该第二介质窗结构的一底部暴露出该衬底的一表面,并且该第二沟槽结构的一底部暴露出该第一介电层的一表面。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |