| 发明名称 | 浅沟槽隔离物及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种浅沟槽隔离物及其制造方法，该浅沟槽隔离物包括：沟槽，形成于基底中；氮氧化硅层，顺应性地形成于该沟槽的侧壁与底部；以及高密度等离子体氧化层，填入该沟槽中。本发明还供一种浅沟槽隔离物的制造方法。本发明利用不同方法，例如沉积或等离子体处理，形成致密且薄的氮氧化硅层，用来保护半导体基底免受化学气相沉积过程中的等离子体攻击并同时减少沟槽内的占用空间，改善填入效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1901191A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200610071494.8 | 申请日期 | 2006.03.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 曾铕;张庆裕 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;郑特强 |
| 主权项 | 1、一种浅沟槽隔离物，包括：沟槽，在基底中形成；氮氧化硅层，顺应性地形成于该沟槽的侧壁与底部；以及高密度等离子体氧化层，填入该沟槽中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||