| 发明名称 | 高介电常数金属硅酸盐的原子层沉积 | ||
| 摘要 | 本发明涉及金属硅酸盐的高k介电层的原子层沉积(“ALD”)，金属硅酸盐包括硅酸铪。更具体地，本发明涉及使用金属有机前体、硅有机前体和臭氧的金属硅酸盐的ALD形成。优选地，金属有机前体是金属烷基酰胺，和硅有机前体是硅烷基酰胺。 | ||
| 申请公布号 | CN1902738A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN03825797.1 | 申请日期 | 2003.08.18 |
| 申请人 | 阿维扎技术公司;综合处理系统有限公司 | 发明人 | 李尚因;先崎义秀;李尚校 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/469(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元 |
| 主权项 | 1.一种通过原子层沉积在衬底上生长金属硅酸盐膜的方法，包括：(i)将金属有机前体和硅有机前体导入包含衬底的反应室；(ii)净化所述反应室；(iii)将臭氧导入所述反应室；(iv)净化所述反应室；以及(v)重复步骤(i)、(ii)、(iii)和(iv)，直到在该衬底上获得目标厚度的膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||