发明名称 | 影像感测单元及其应用的CMOS影像感测装置与阵列 | ||
摘要 | 本发明关于一种影像感测单元及其应用的CMOS影像感测装置与阵列,该影像感测单元包括:一第一像素区,其内设置有至少一第一感光二极管,第一感光二极管是针对一第一色彩的一光信号而产生一第一感测信号;一第二像素区,邻近第一像素区,其内设置有至少一第二感光二极管,第二感光二极管是针对一第二色彩的一光信号而产生一第二感测信号;一第三像素区邻近第一与第二像素区,其内设置有至少一第三感光二极管,第三感光二极管是针对一第三色彩的一光信号而产生一第三感测信号;至少一感测放大器大体设置于第一、第二与第三像素区内,以放大第一、第二与第三感测信号,第一、第二、第三像素区大体上具有相同的尺寸并占据影像感测单元的整体区域。 | ||
申请公布号 | CN1901630A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
申请号 | CN200610103545.0 | 申请日期 | 2006.07.21 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 许慈轩;杨敦年;张志光 |
分类号 | H04N5/335(2006.01) | 主分类号 | H04N5/335(2006.01) |
代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
主权项 | 1.一种影像感测单元,适用于一互补型金属氧化物半导体影像感测装置,其特征在于,所述影像感测单元包括:一第一像素区,其内设置有至少一第一感光二极管,该第一感光二极管是针对一第一色彩的一光信号而产生一第一感测信号;一第二像素区,相邻于该第一像素区,其内设置有至少一第二感光二极管,该第二感光二极管是针对一第二色彩的一光信号而产生一第二感测信号;一第三像素区相邻于该第一像素区与第二像素区,其内设置有至少一第三感光二极管,该第三感光二极管是针对一第三色彩的一光信号而产生一第三感测信号;以及至少一感测放大器设置于该第一像素区、第二像素区与第三像素区内,以放大该第一感测信号、第二感测信号与第三感测信号,其中该第一像素区、第二像素区、第三像素区占据该影像感测单元的整体区域。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |