发明名称 垂直腔面发射激光器及其制造方法
摘要 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法。本发明的所述垂直腔面发射激光器包括:一衬底、一第一反射器、一活性层、一第二反射器、一第一电极层和一第二电极层。所述第二反射器具有一第一孔径的第一限制层,和一有一第二孔径的第二限制层。所述第二孔径小于所述第一孔径。根据本发明,由于所述第二限制层以下列方式形成:将氧离子注入所述第二反射器并进行加热,以使得所述氧离子与所述第二反射器内的铝成分反应而形成氧化层,因而,所述第二限制层可用作一光学和电子限制层。因此,可精确且容易地实现所述第二限制层的宽度和厚度。
申请公布号 CN1901299A 申请公布日期 2007.01.24
申请号 CN200510115686.X 申请日期 2005.11.08
申请人 海德威电子工业股份有限公司;禧通科技股份有限公司 发明人 赖利弘;赖利温
分类号 H01S5/183(2006.01) 主分类号 H01S5/183(2006.01)
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 刘国伟
主权项 1.一种垂直腔面发射激光器,其包括:一衬底,其具有一第一表面和一第二表面;一第一反射器,其形成在所述衬底的所述第一表面上;一活性层,其形成在所述第一反射器上;一第二反射器,其形成在所述活性层上,所述第二反射器具有一第一限制层和一第二限制层,所述第一限制层具有一第一孔径,所述第二限制层具有一第二孔径,所述第二孔径小于所述第一孔径;一第一电极层,其形成在所述第二反射器上;和一第二电极层,其形成在所述衬底的所述第二表面上。
地址 中国台湾