| 发明名称 | 改变膜的刻蚀选择性的方法 | ||
| 摘要 | 一种构图晶体膜的方法。提供具有退化晶格的晶体膜，所述退化晶格包括在第一区和第二区中的第一原子。掺杂剂代替了所述第一区中的所述第一原子，以在所述第一区中形成非退化晶体膜。第一区和第二区暴露于湿刻蚀剂，其中该湿刻蚀剂刻蚀所述第二区中的退化晶格，而不刻蚀第一区中的非退化晶格。 | ||
| 申请公布号 | CN1902739A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200480039531.6 | 申请日期 | 2004.12.23 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·K·布拉斯克 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非;梁永 |
| 主权项 | 1、一种构图晶体膜的方法，包括：形成具有退化晶格的晶体膜，所述退化晶格包括在第一区和第二区中的第一原子；将掺杂剂放入到所述第一区中的所述晶体膜中的空隙部位中；激活所述掺杂剂，使得所述掺杂剂代替所述晶格中的所述第一原子，以在所述第一区中形成非退化晶格，所述第二区保持退化晶格；以及将所述第一区和所述第二区暴露于湿刻蚀剂，其中所述湿刻蚀剂刻蚀所述第二区中的所述退化晶格，而不刻蚀所述第一区中的所述非退化晶格。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||