发明名称 光刻装置和器件制造方法
摘要 对准系统使用自参考干涉仪,产生两个重叠和相对旋转的对准标记图像。探测器检测图像的傅立叶变换产生干涉的光瞳平面的强度。从两个图像的衍射级相位的差异获得位置信息,所述差异表示在干涉级中强度的变化。通过测量衍射级两侧两个位置处的强度也能够测量不对称性。
申请公布号 CN1296774C 申请公布日期 2007.01.24
申请号 CN03133004.5 申请日期 2003.06.09
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 A·J·登贝夫;M·霍格尔兰德;B·加德茨科
分类号 G03F7/20(2006.01);G03F9/00(2006.01);G02B27/28(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 蔡民军
主权项 1.一种光刻投射装置,包括:用于提供辐射投射光束的辐射系统;用于支撑图案形成装置的支撑结构,所述图案形成装置用于根据所需的图案对投射光束进行图案形成;用于保持基底的基底台;用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统;和具有自参考干涉仪的对准系统,用于投射对准标记的相对旋转180°的两个重叠图像;其特征在于所述对准系统还包括探测器系统,该探测器系统用于在所述自参考干涉仪的光瞳平面中检测多个不同位置的光强。
地址 荷兰维尔德霍芬