| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件，包括栅极结构、源极区、漏极区与一对介电阻挡层。栅极结构设置于基底上。源极区与漏极区分别设置于栅极结构两侧的基底中，其中在栅极结构下方、且位于在源极区与漏极区之间有通道区。一对介电阻挡层分别设置于栅极结构下方的基底中，且位于源极区与漏极区之间。介电阻挡层可以减少纳米级元件的漏极引发阻挡降低效应。 | ||
| 申请公布号 | CN1901223A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200510084863.2 | 申请日期 | 2005.07.19 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 周志文;朱志勋 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体元件，包括：一栅极结构，设置于一基底上；一源极区与一漏极区，分别设置于该栅极结构两侧的该基底中，其中在该栅极结构下方、且位于在该源极区与该漏极区之间有一通道区；以及一对介电阻挡层，分别设置于该栅极结构下方的该基底中，且位于该源极区及该漏极区之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园 | ||