图形形成方法和应用该方法的半导体器件的制造方法

摘要

在半导体基体之上的被加工层13之上，采用使光致抗蚀剂膜图形化的办法形成第1图形化层14a。在形成了光致抗蚀剂图形后，借助于附加处理使第1图形化层14a变小。其次，在用耐刻蚀性比较大的材料在第1图形化层14a之间形成了埋入膜15后，在进行了平坦化处理后，除去第1图形化层14a。借助于此，使第2图形化层15a剩下来。使用该第2图形化层，刻蚀基底的被加工层13。然后，以基底的被加工层13为掩模，刻蚀例如铝膜12。

主权项

1.一种图形形成方法，包括：在第1膜之上形成第1光致抗蚀剂膜；在使上述第1光致抗蚀剂膜图形化的区域的已形成了第1光致抗蚀剂膜的图形的区域，在已形成了上述第1光致抗蚀剂膜的图形的区域中，上述光致抗蚀剂膜的被覆率成为90％或90％以上的最大的正方形区域的一边的长度y(微米)，和上述光致抗蚀剂膜的被覆率成为10％或10％以下的最大正方形区域的一边的长度x(微米)之间的关系，满足下式y＜84.29+44.63×103×e-x/17.80 在上述第1膜之上用旋转涂敷法形成掩模层，上述掩模层把上述第1光致抗蚀剂膜被覆起来；通过使上述掩模层的表面后退，使上述第1光致抗蚀剂膜的上表面露出来；在上述露出后，除去上述第1光致抗蚀剂膜；以上述掩模层为掩模使上述第1膜图形化。