发明名称 | 在沟槽蚀刻中降低线条边缘粗糙度 | ||
摘要 | 提供一种在衬底(图3B,304)上的介质层(图2B,308)中将沟槽(图3B,314)蚀刻到沟槽深度(图3B,318)的方法。将ARC(图3B,310)加到介质层(图2B,308)上。在ARC(图3B,310)上形成光致抗蚀剂掩模(图3B,312),其中光致抗蚀剂掩模具有厚度。以贯穿方式蚀刻ARC。将沟槽(图3B,314)蚀刻到介质层中,介质对光致抗蚀剂的蚀刻选择性在1∶1和2∶1之间。 | ||
申请公布号 | CN1902745A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
申请号 | CN200480040167.5 | 申请日期 | 2004.11.03 |
申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | E·沃加纳;H·H·朱;D·乐;P·勒温哈德特 |
分类号 | H01L21/4763(2006.01) | 主分类号 | H01L21/4763(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;染永 |
主权项 | 1.一种在衬底上的介质层中将沟槽蚀刻到沟槽深度的方法,所述方法包括:在所述介质层上加ARC;在所述ARC上形成光致抗蚀剂掩模,其中所述光致抗蚀剂掩模具有厚度;以贯穿方式蚀刻所述ARC;以及将沟槽蚀刻到所述介质层中,介质对光致抗蚀剂的蚀刻选择性在1∶1和2∶1之间。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |