发明名称 陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件
摘要 陶瓷膜的制造方法,包含通过使原材料体20结晶化而形成陶瓷膜30的工序,原材料体20以混合存在的状态含有种类不同的原料,种类不同的原料彼此在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机理的至少一方存在相互不同的关系。根据本发明的制造方法,能够改善陶瓷膜的表面形态。
申请公布号 CN1296283C 申请公布日期 2007.01.24
申请号 CN01802497.1 申请日期 2001.06.14
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 名取荣治;古山晃一;田崎雄三
分类号 C01G1/00(2006.01) 主分类号 C01G1/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 魏金玺;杨丽琴
主权项 1.一种陶瓷膜的制造方法,其特征在于,包含:将混合第1原料液和第2原料液的陶瓷原料液涂布在基体上的工序,以及使上述基体上涂布的陶瓷原料液结晶的工序,上述第1原料液是用于形成Bi系层状钙钛矿型强电介质或PZT系强电介质的原料液,该原料液是将构成前述Bi系层状钙钛矿型强电介质或PZT系强电介质的金属的金属有机化合物或金属无机化合物溶解于溶剂中得到的溶液、在溶剂中使前述金属的化合物进行水解、缩合反应得到的液体,或前述金属的醇盐的水解而得到的溶胶·凝胶液,前述Bi系层状钙钛矿型强电介质选自SrBiTaO系强电介质、BiLaTiO系强电介质和BiTiO系强电介质,作为上述第1原料液使用用于形成Bi系层状钙钛矿型强电介质的原料液时,上述第2原料液是将构成A位置是Bi的ABO系氧化物的金属的金属有机化合物或金属无机化合物溶解于溶剂中得到的溶液、在溶剂中使前述金属的化合物进行水解、缩合反应得到的液体,或前述金属的醇盐的水解而得到的溶胶·凝胶液,作为上述第1原料液使用用于形成PZT系强电介质的原料液时,上述第2原料液是将构成A位置是Pb的ABO系氧化物的金属的金属有机化合物或金属无机化合物溶解于溶剂中得到的溶液、在溶剂中使前述金属的化合物进行水解、缩合反应得到的液体,或前述金属的醇盐的水解而得到的溶胶·凝胶液,A位置是Bi的前述ABO系氧化物选自BiGeO系氧化物、BiMoO系氧化物、BiVO系氧化物、BiCrO系氧化物、BiSiO系氧化物和BiWO系氧化物,A位置是Pb的前述ABO系氧化物选自PbGeO系氧化物、PbMoO系氧化物、PbVO系氧化物、PbCrO系氧化物、PbSiO系氧化物、PbWO系氧化物、PbSnO系氧化物和PbGeSiO系氧化物,基于上述第1原料液生成的强电介质和基于上述第2原料液生成的ABO系氧化物的摩尔比是100∶20~100∶100。
地址 日本东京都