半导体器件

摘要

一种MIS型半导体器件的制造方法，其特征在于在一个半导体衬底或半导体薄膜上选择地形成杂质区，而这些杂质区由从上面辐照的激光束或等效的强光辐照而激活，因而激光束或等效强光辐照在杂质区以及杂质区与邻接杂质区的激活区间的边界。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，它具有绝缘表面；有源矩阵电路，它在所述绝缘表面上形成；至少一个驱动器，其在所述绝缘表面上形成，以驱动所述有源矩阵电路；以及设于所述绝缘表面上、与所述至少一个驱动器连接的电路，所述电路至少包括存储器、CPU、输入端口、和校正存储器其中之一，其中，所述有源矩阵电路、所述驱动器、和所述电路至少之一包括至少一个P沟道薄膜晶体管和至少一个N沟道薄膜晶体管，所述P沟道和N沟道薄膜晶体管中的各个晶体管包括：半导体膜，它在所述衬底上形成；第一区，它包括在所述半导体膜内形成的沟道区；一对第二区，这些区在所述半导体模内形成，并掺杂有使该区得到一种导电类型的杂质，所述第二区都用作源区和漏区；一对第三区，每个第三区分别插入所述第一区和所述第二区之间；以及栅极，它靠近所述第一区设置，在这两者间插入栅绝缘膜，其中，所述N沟道薄膜晶体管中的所述第三区的宽度比所述P沟道薄膜晶体管中的那些第三区的宽度为宽。