发明名称 适用于低电压的高线性度CMOS模拟开关
摘要 本发明属集成电路技术领域,具体为一种适用于低电压的高线性度CMOS模拟采样开关。它由3个分压电阻、1个运算放大器、1个复制采样开关、1个采样开关、1个伪采样开关、2个升压电路组成。由运算放大器和复制采样开关形成负反馈电路,从而为复制采样开关复制出与采样开关相同的阈值电压。再将复制采样开关的栅电压作为采样开关的控制信号,以消除采样开关导通电阻随输入信号和阈值电压的变化,从而大大提高了采样开关的线性度。同时利用2个升压电路,消除了运放输出摆幅对电路功能的限制,实现了低电压下的正常工作。
申请公布号 CN1901372A 申请公布日期 2007.01.24
申请号 CN200610029169.5 申请日期 2006.07.20
申请人 复旦大学 发明人 彭云峰;严伟;周锋
分类号 H03K17/14(2006.01);H03K17/16(2006.01);H03K17/687(2006.01);G11C27/02(2006.01) 主分类号 H03K17/14(2006.01)
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 代理人 陆飞;盛志范
主权项 1、一种适用于低电压的高线性度CMOS模拟开关,其特征在于由分压电阻(36、37、38)、复制采样开关(39)、采样开关(40)、伪采样开关(41)、升压电路一、升压电路二、运算放大器(56)经电路连接构成;其中,分压电阻(37)和(38)形成从输入信号端到地之间的分压,分压输出连接到运算放大器(56)的正输入端;复制采样管(39)的漏端连接到输入信号端,栅端连接到升压电路一和升压电路二的共同输出端节点(61),源端连接到运算放大器(56)的负输入端;分压电阻(36)的一端连接到复制采样开关(39)的源端,另一端连接到地。
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