发明名称 | 磁性记录介质和磁性存储设备 | ||
摘要 | 一种磁性记录介质被构造成包括下部磁性层、设置在下部磁性层上的非磁性隔离层和设置在非磁性隔离层上的上部磁性层,这里上部和下部磁性层都反铁磁性地耦合。下部磁性层包括稳定层和设置在稳定层和非磁性隔离层之间的下部增强层,该稳定层和下部增强层铁磁性地交换耦合。稳定层和下部增强层都由CoCr合金制成以使稳定层的Pt含量高于下部增强层的Pt含量。 | ||
申请公布号 | CN1296899C | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
申请号 | CN03803765.3 | 申请日期 | 2003.01.27 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | B.·拉马穆尔蒂·阿查理亚;猪又明大 |
分类号 | G11B5/66(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
主权项 | 1.一种磁性记录介质,包括;下部磁性层;设置在下部磁性层上的非磁性隔离层;和设置在非磁性隔离层上的上部磁性层,所说的上部和下部磁性层都反铁磁性地耦合,所说的下部磁性层包括稳定层和设置在稳定层和非磁性隔离层之间的下部增强层,所说的稳定层和所说的下部增强层铁磁性地交换耦合,所说的稳定层和所说的下部增强层都由CoCr合金制成,所说的稳定层的Pt含量高于下部增强层的Pt含量,其中下部增强层由具有0<Pt≤8at%的CoCrPt合金制成,稳定层由Pt>8at%的CoCrPt合金制成。 | ||
地址 | 日本神奈川 |