| 发明名称 | 基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法 | ||
| 摘要 | 一种基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法，其工艺步骤如下：1.在基片上双面淀积氮化硅薄膜；2.在基片上旋涂抗蚀剂，光刻得到镂空窗口；3.利用抗蚀剂作为掩膜刻蚀氮化硅薄膜；4.利用氮化硅作为掩膜，湿法腐蚀基片得到氮化硅镂空薄膜；5.在镂空的氮化硅薄膜上采用聚焦离子束刻蚀电极图形；6.利用所得到的镂空氮化硅薄膜做掩模，在衬底上蒸发或者溅射金属得到电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1901141A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200510085294.3 | 申请日期 | 2005.07.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 涂德钰;王丛舜;刘明 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法，是经由一次光刻、一次干法刻蚀、一次湿法腐蚀、一次聚焦离子束刻蚀、一次蒸发或溅射，而获得纳米电极的；其特征在于，包括步骤如下：步骤1、在基片上双面淀积氮化硅薄膜；步骤2、在基片上旋涂抗蚀剂，光刻得到镂空窗口；步骤3、刻蚀镂空窗口内的氮化硅薄膜；步骤4、湿法腐蚀基片得到镂空的氮化硅薄膜；步骤5、在镂空的氮化硅薄膜上采用聚焦离子束刻蚀出电极图形；步骤6、利用所得的镂空氮化硅薄膜做掩模，在衬底上蒸发或溅射金属，形成电极。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||