| 发明名称 | 高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构 | ||
| 摘要 | 一种高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上，形成大功率808nm量子阱半导体激光器。 | ||
| 申请公布号 | CN1901301A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200510012236.8 | 申请日期 | 2005.07.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王俊;马骁宇;郑凯;林涛;王勇刚 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01) | 主分类号 | H01S5/343(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上，形成大功率808nm量子阱半导体激光器。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||