压力传感器硅谐振膜的制造方法

摘要

本发明公开了一种压力传感器硅谐振膜的制造方法，用于微电子机械系统(MEMS)压力传感器中的硅悬梁的制作。该方法步骤包括：1.将第一和第二原始硅片进行加工，形成带硅谐振膜的SOI硅片；2.在第三原始双面抛光硅片上进行加工，形成有图形的硅衬底片；3.将所述有图形的硅衬底片与所述SOI硅片进行键合，形成键合片；4.对键合片采用减薄、腐蚀、漂SiO₂层工艺进行处理，暴露出在有图形的硅衬底上的所述硅谐振膜。采用本发明的方法，可获得不易破裂的压力传感器硅谐振膜，且制作出的硅谐振膜厚度薄，均匀性好，能大大提高压力传感器硅谐振膜制作的成品率。

主权项

1.一种压力传感器硅谐振膜的制造方法，其包括以下步骤：(1)将第一和第二原始硅片进行加工，形成带硅谐振膜的SOI硅片；(2)在第三原始双面抛光硅片上进行加工，形成有图形的硅衬底片；(3)将所述有图形的硅衬底片与所述带硅谐振膜的SOI硅片进行键合，形成键合片；(4)对键合片采用减薄、腐蚀、漂SiO2层工艺进行处理，暴露出在有图形的硅衬底上的所述硅谐振膜。