用于改进CVD膜性能的边流面板

摘要

依照本发明的实施例涉及在工件表面上分配处理气体的装置和方法。依照本发明的一个实施例，工艺气体通过形成有多个孔的基本圆形的气体分配喷头流向半导体晶片的表面。位于面板中心的第一组孔以不共心的方式排列且不呈径向对称。这种不对称排列使得孔和其中分配的气体达到最大密度。为了补偿所述晶片的边缘对从所述第一孔组流出的气体的不均匀暴露，所述面板周边形成第二组孔，所述第二组孔共心排列并呈径向对称。用流经所述第一和第二组孔的气体对衬底进行处理引起膜的形成，所述膜在从中心到边缘区域的均匀性得到改进。

主权项

1.一种装置，其包括：围绕处理室的壁；置于所述室中的晶片基座；与所述室流体连通的第一排气管道；和通过基本圆形的气体分配喷头与所述室流体连通的处理气体源，所述气体分配喷头包括：置于中心喷头区域并相对于所述喷头半径不对称的第一组孔，和置于周边喷头区域并相对于所述半径对称的第二组孔。