| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。 | ||
| 申请公布号 | CN1296981C | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200310115678.6 | 申请日期 | 2003.10.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 野间崇;筱木裕之;铃木彰;关嘉则;久原孝一;高尾幸弘;山田纮士 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/58(2006.01);H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在已经形成第一配线的半导体晶片表面上粘接第一支撑衬底的工序；在所述半导体晶片的背面粘接第二支撑衬底的工序；从所述第二支撑衬底的背面沿着切割线进行切割，形成直到所述第一支撑衬底的槽，并部分露出所述第一配线的工序；形成连接所述第一配线的露出部分并在所述第二支撑衬底的表面上延伸的第二配线的工序；在所述第二配线表面上通过喷涂形成由有机树脂构成的保护膜的工序；在所述保护膜的规定位置上形成露出所述第二配线的开口部的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||