| 主权项 |
1.一种被吸附于基板之有机污染物之除去装置,包 含: 一加热板,用以加热一基板; 一冷却板,用以冷却该基板; 一传送机构,用以将一基板自该加热板移至该冷却 板;及 一处理室本体,设有该加热板及该冷却板,该处理 室本体包含一自该加热板至该冷却板之基板传送 路径。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中,该加热板及 该冷却板皆处于水平状态,并沿一水平方向设置。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中,该传送机构 设于该处理室本体中。 4.如申请专利范围第3项之装置,其中, 该处理室本体包含仅一开口,且该开口系为一基板 通过用;且 该基板在该基板进出该处理室本体时,为该冷却板 接收一次。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中,该处理室本 体包含: 一开口,为一基板在被传送至该加热板时通过用; 及 另一开口,为一基板在被自该冷却板传送出时通过 用。 6.如申请专利范围第5项之装置,其中,该处理室本 体更包含一喷嘴,用以将气体注往一通过该另一开 口之基板。 7.如申请专利范围第1项之装置,其中,该处理室本 体包含: 一开口,为一基板通过用;及 一喷嘴,用以沿该开口形成之面上注入气体。 8.如申请专利范围第1项之装置,其中,更包含一用 以自该冷却板接收一基板、并收回该处理室本体 中基板的机构。 9.如申请专利范围第1项之装置,其中,更包含一用 以对该处理室本体中气体加以抽除的机构。 10.一种基板上形成之薄膜之厚度测定装置,包含: 一有机污染物移除器,用以除去吸附于一基板上的 有机污染物;及 一薄膜厚度测定部份,用以在一基板上有机污染物 为该有机污染物移除器除去后,对该基板上薄膜厚 度加以测定, 其中,该有机污染物移除器包含: 一加热板,用以加热一基板; 一冷却板,用以冷却该基板; 一传送机构,用以将一基板自该加热板移至该冷却 板;及 一处理室本体,设有该加热板及该冷却板,该处理 室本体包含一自该加热板至该冷却板之基板传送 路径。 11.如申请专利范围第10项之装置,其中,该薄膜厚度 测定部份包含一椭圆仪。 12.如申请专利范围第10项之装置,其中,该有机污染 物移除器之冷却板包含一用以调整一基板位置之 机构。 13.如申请专利范围第10项之装置,其中,该加热板及 该冷却板皆处于水平状态,并沿水平方向设置。 14.如申请专利范围第10项之装置,其中,该传送机构 设于该处理室本体中。 15.如申请专利范围第14项之装置,其中, 该处理室本体包含仅一开口,且该开口系为一基板 通过用;且 该基板在该基板进出该处理室本体时,为该冷却板 接收一次。 16.如申请专利范围第10项之装置,其中,该处理室本 体包含: 一开口,为一基板在被传送至该加热板时通过用; 及 另一开口,为一基板在被自该冷却板传送出时通过 用。 17.如申请专利范围第10项之装置,其中,该有机污染 物移除器包含一用以自该冷却板接收一基板、并 收回该处理室本体中基板之机构。 18.一种被吸附于基板之有机污染物之除去方法,包 含下列步骤: a)传送一基板至一处理室本体内; b)在设置于该处理室本体内之加热板上加热该基 板; c)自该加热板移动该基板至一设置于该处理室本 体内之冷却板,且该移动系沿该处理室本体内的一 传送路径而为; d)在该冷却板上冷却该基板;及 e)自该处理室本体传送该基板。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中,该加热板及 该冷却板皆位于水平状态,并沿水平方向设置。 20.如申请专利范围第18项之方法,其中, 在该步骤a)中,该基板经由设置于该处理室本体中 的一开口传送至该加热板;且 在该步骤e)中,该基板经由设置于该处理室本体中 的另一开口自该冷却板传送出。 21.如申请专利范围第18项之方法,其中, 在该步骤a)中,该基板经由设置于该处理室本体中 的一开口传送至该冷却板,并自该冷却板传送至该 加热板;且 在该步骤e)中,该基板自该冷却板经由该开口传送 。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中,更包含在该 步骤d)及e)之间进行之在该处理室本体中自该冷却 板收回该基板的步骤f),其中 该步骤a)系对下个基板进行,且系与步骤f)同时进 行。 23.一种基板上形成之薄膜之厚度测定方法,包含下 列步骤: a)传送一基板至一处理室本体内; b)在设置于该处理室本体内之加热板上加热该基 板; c)自该加热板移动该基板至一设置于该处理室本 体内之冷却板,且该移动系沿该处理室本体内的一 传送路径而为; d)在该冷却板上冷却该基板; e)自该处理室本体传送该基板;及 f)测定一在该基板上形成之薄膜的厚度。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中,在该步骤f) 时一薄膜厚度系由一椭圆仪加以量测。 25.如申请专利范围第23项之方法,其中,该加热板及 该冷却板皆处于水平状态,并沿一水平方向设置。 26.如申请专利范围第23项之方法,其中, 在该步骤a)中,该基板经由设置于该处理室本体中 的一开口传送至该加热板;且 在该步骤e)中,该基板经由设置于该处理室本体中 的另一开口自该冷却板传送出。 27.如申请专利范围第23项之方法,其中, 在该步骤a)中,该基板经由设置于该处理室本体中 的一开口传送至该冷却板,并自该冷却板传送至该 加热板;且 在该步骤e)中,该基板自该冷却板经由该开口传送 。 28.如申请专利范围第27项之方法,其中,更包含在该 步骤d)及e)之间进行之在该处理室本体中自该冷却 板收回该基板的步骤g),其中 该步骤a)系对下个基板进行,且系与步骤g)同时进 行。 图式简单说明: 图1为第一较佳实施例之薄膜厚度测定装置的前视 图; 图2显示第一较佳实施例之薄膜厚度测定装置的内 部结构; 图3及图4显示一有机污染物移除器之内部结构; 图5为除去有机污染物及测定基板上薄膜厚度之操 作流程图; 图6显示第二较佳实施例之薄膜厚度测定装置; 图7显示第三较佳实施例之薄膜厚度测定装置; 图8为一有机污染物移除器之结构示意图; 图9显示第四较佳实施例之薄膜厚度测定装置; 图10显示第五较佳实施例之薄膜厚度测定装置的 有机污染物移除器之内部结构; 图11显示一有机污染物移除器的内部结构;及 图12为移除有机污染物之操作流程图。 |
