发明名称 电子零件用陶瓷之热处理用夹具及其制造方法
摘要 本发明之目的在于提供一种可提高熔射被膜层等乏被覆层的剥离防止性、且有优异的耐热强度、耐潜变性及耐久性,可适用于陶瓷电容器、陶瓷变压器等之电子零件用陶瓷之热处理及焙烧步骤中的电子零件用陶瓷之热处理用夹具及其制造方法。本发明之电子零件用陶瓷之热处理用夹具之特征为:系于碳化矽质陶瓷基板之第1层的上下面,具有由选自Al2O3、Al2O3-SiO2质、Al2O3-SiO2-MgO质、MgO-Al2O3-ZrO2质中之至少1种的陶瓷所构成之第2层,并且,于上述第2层的表面的一部份或全部,具有由含有选自Al2O3、多铝红柱石、 ZrO2、Y2O3之中至少1种的单一或复数层的熔射被膜层所构成之第3层。
申请公布号 TWI271394 申请公布日期 2007.01.21
申请号 TW091109669 申请日期 2002.05.09
申请人 东芝陶瓷股份有限公司 发明人 山田和典
分类号 C04B41/87(2006.01) 主分类号 C04B41/87(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号1112室;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号1112室
主权项 1.一种电子零件用陶瓷之热处理用夹具,其特征在 于,系于碳化矽质陶瓷基板之第1层的上下面,具有 由选自Al2O3、Al2O3-SiO2质、Al2O3-SiO2-MgO质、MgO-Al2O3- ZrO2质中之至少1种的陶瓷所构成之第2层,并且,于 上述第2层的表面的一部份或全部,具有由含有选 自Al2O3、多铝红柱石、ZrO2、Y2O3之中至少1种的单 一或复数层的熔射被膜层所构成之第3层; 其中,上述第2层的厚度为1mm以上7mm以下,且于上述 第1层与第2层的境界部分,介在有碳化矽质陶瓷与 构成第2层之陶瓷混合存在之层;以及 上述第2层的表面之中心线平均粗度Ra为3m以上20 m以下。 2.如申请专利范围第1项之电子零件用陶瓷之热处 理用夹具,其中,上述第3层的膜厚为50m以上500m 以下。 3.一种电子零件用陶瓷之热处理用夹具之制造方 法,其特征在于,在碳化矽质粒子层的上下面,配置 有由选自Al2O3、Al2O3-SiO2质、Al2O3-SiO2-MgO质、MgO-Al2O 3-ZrO2质中之至少1种所构成,而表面之中心线平均 粗度Ra为3m以上20m以下的粒子层,经成形、焙 烧之后,再于得到之板状陶瓷之表面的一部份或全 部,形成由含有选自Al2O3、多铝红柱石、ZrO2、Y2O3 之中至少1种的单一或复数层的熔射被膜层。 4.如申请专利范围第3项之电子零件用陶瓷之热处 理用夹具之制造方法,其中,在上述碳化矽质粒子 层与由选自Al2O3、Al2O3-SiO2质、Al2O3-SiO2-MgO质、MgO- Al2O3-ZrO2质中之至少1种所构成之粒子层的境界部 分处,藉由成形时使该境界附近的粒子粗大,使其 形成由碳化矽质粒子与选自Al2O3、Al2O3-SiO2质、Al2O 3-SiO2-MgO质、MgO-Al2O3-ZrO2质中之至少1种的所构成之 粒子的混合存在之陶瓷层。 5.如申请专利范围第3或4项之电子零件用陶瓷之热 处理用夹具之制造方法,其中,上述熔射被膜层,系 经由等离子体熔射所形成。 图式简单说明: 图1为显示本发明之电子零件用陶瓷之热处理用夹 具的构成之示意截面图。 图2为表示习知的熔射被膜碳化矽基板的构成之示 意截面图。
地址 日本