| 主权项 |
1.一种找出适切的更新间隔的方法,适用于一动态 随机存取记忆体(dynamic random access memory,DRAM)晶片, 包含有: (a)侦测该DRAM晶片是否处于刚启动(power-up)的状态; (b)在刚启动状态时,提供一更新时脉,具有一更新 间隔; (c)依据该更新时脉,使该DRAM晶片中的复数记忆胞 进行自我测试,该自我测试步骤包含有: 存入该等记忆胞一原始测试码; 以该更新时脉,对该等记忆胞进行数次更新动作; 以及 检测一被存入之记忆码是否与该原始测试码一致; (d)变更该更新间隔,并重复该步骤(c),直到找到可 以使该DRAM晶片自我测试成功的最长更新间隔;以 及 (f)依据该最长更新间隔,定义该最适切的更新间隔 ,以提供该DRAM晶片于一般电源供应时,进行更新。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中,进行该自我 测试的步骤包含有: 如果该被存入之记忆码是否与该原始测试码一致, 则指出该自我测试成功;以及 如果该被存入之记忆码是否与该原始测试码不一 致,则指出该自我测试失败。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中,定义该最适 切的更新间隔之步骤包含有下列步骤: 将该最长更新间隔加上一预设之差値,以作为该最 适切的更新间隔。 图式简单说明: 第1图为本发明之方法的流程示意图。 第2图为依据本发明的一环状震荡器。 第3图为第2图中的一反向器之电路图。 第4图为第3图中的控制电压产生电路示意图。 |
