发明名称 表面声波滤波器
摘要 一种至少有两个叉指式换能器(IDT)的纵向耦合谐振器模式表面声波(SAW)滤波器部分系设置在压电基片上。至少有一个SAW谐振器与该SAW滤波器部分以并联方式电性连接,使其设置在一输入端点或一输出端点和SAW滤波器部分之间。该SAW谐振器的谐振点设置在该SAW滤波器部分的通带内。
申请公布号 TWI271925 申请公布日期 2007.01.21
申请号 TW091111730 申请日期 2002.05.31
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 高峰 裕一
分类号 H03H9/64(2006.01) 主分类号 H03H9/64(2006.01)
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种表面声波滤波器,包括: 一压电基片; 一表面声波滤波器部分,设置在该压电基片上及具 有至少一个以表面声波传播方向设置的叉指式换 能器;以及 至少一个表面声波谐振器,与该表面声波滤波器部 分以并联方式电性连接,使其设置在一输入端点或 一输出端点和该表面声波滤波器部分之间, 其中,该表面声波谐振器的一谐振点或次谐振点设 置在该表面声波滤波器部分的一通带内。 2.如申请专利范围第1项之表面声波滤波器,其中, 该表面声波谐振器的谐振点或次谐振点实质上与 极小化该表面声波滤波器部分通带内的插入损耗 的频率一致。 3.如申请专利范围第1或2项之表面声波滤波器,其 中,该谐振点系设置在该表面声波滤波器部分之一 通带内,且该表面声波谐振器的一Q値系等于或小 于190。 4.如申请专利范围第1或2项之表面声波滤波器,其 中,该表面声波的次谐振点系设置在该的表面声波 滤波器部分一通带内,且其中该表面声波谐振器包 括一叉指式换能器及反射器,该反射器以一表面声 波传播方向设置在该叉指式换能器两边,以及在叉 指换能器和各个反射器之间,电极指的中心到中心 距离为[(0.50至0.80)+0.50n]乘以一波长(n为-1、0、1、2 等等),其系由该叉指式换能器的一电极指间距所 确定。 5.如申请专利范围第1或2项之表面声波滤波器,其 中进一步包括: 一对平衡信号端点和一个非平衡信号端点,从而提 供了一平衡到非平衡的转换功能。 6.一种通讯装置,包含如申请专利范围第1或2项之 表面声波滤波器作为一带通滤波器。 图式简单说明: 图1表示说明根据本发明第一实施例的SAW滤波器的 示意平面图。 图2示出了图1所示SAW滤波器的频率对振幅的特性 。 图3示出了图1所示SAW滤波器的频率对电压驻波率( VSWR)的特性。 图4表示用于与第一实施例比较而准备的已知的SAW 滤波器电极结构的示意平面图。 图5示出了图4所示的已知的SAW滤波器的频率对振 幅的特性。 图6示出了图4所示的已知的SAW滤波器的频率对电 压驻波率的特性。 图7示出了当SAW谐振器的一个IDT电极指的数目变化 时阻抗特性的变化。 图8表示变换SAW谐振器的Q値所引起出现于通带内 纹波的变化。 图9表示第一实施例的SAW滤波器修改例的示意平面 图。 图10表示第一实施例的SAW滤波器另一个修改例的 示意平面图。 图11表示说明根据本发明第二实施例的SAW滤波器 的电极结构的示意平面图。 图12示出了应用于第二实施例的SAW谐振器的阻抗 特性。 图13示出了通过改变IDT-反射器的间距来改变阻抗 特性的例子。 图14示出了改变IDT-反射器的间距所引起阻抗特性 改变的另一个例子。 图15表示说明根据本发明第三实施例的SAW滤波器 的电极结构的示意平面图。 图16表示第三实施例的SAW滤波器修改例的示意平 面图。 图17表示第三实施例的SAW滤波器另一个修改例的 示意平面图。 图18表示第三实施例的SAW滤波器又另一个修改例 的示意平面图。 图19表示说明具有根据本发明所构成的SAW滤波器 的通讯装置的示意方块图。
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