| 主权项 |
1.一种画素结构,包括: 一扫描线; 一闸极图案,其中该闸极图案会与该扫描线电性连 接,且该闸极图案中形成有一开口; 一第一介电层,覆盖该扫描线与该闸极图案并填满 该开口; 一通道层,配置于该闸极图案上方的该第一介电层 上; 一源极与一汲极,配置在该通道层上,其中该汲极 系位于该开口的上方; 一资料线,配置在该第一介电层上,且该源极系与 该资料线电性连接; 一第二介电层,覆盖该源极、该汲极与该资料线; 以及 一画素电极,配置于该第二介电层上,且该画素电 极会与该汲极电性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之画素结构,更包括一 延伸线,其与该资料线电性连接,且该延伸线会延 伸至该闸极图案的上方。 3.如申请专利范围第1项所述之画素结构,更包括一 欧姆接触层,配置于该通道层与该源极及该汲极之 间。 4.如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该通 道层之材料包括非晶矽。 5.如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该第 一介电层之材料包括氮化矽、氧化矽或氮氧化矽 。 6.如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该第 二介电层之材料包括氮化矽、氧化矽或氮氧化矽 。 7.如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该画 素电极之材料包括铟锡氧化物。 8.一种画素修补方法,其适于修补如申请专利范围 第2项所述之画素结构,该方法包括: 将位于该开口周围且位于该汲极与该延伸线两侧 的该闸极图案切断,以于该汲极与该延伸线底下形 成一浮置图案; 使该延伸线与该浮置图案电性连接;以及 使该汲极与该浮置图案电性连接。 9.如申请专利范围第8项所述之修补方法,其中将位 于该开口周围且位于该汲极与该延伸线两侧的该 闸极图案切断之方法包括雷射切割。 10.如申请专利范围第8项所述之修补方法,其中使 该延伸线与该浮置图案电性连接以及使该汲极与 该浮置图案电性连接之方法包括雷射熔接。 11.一种薄膜电晶体,包括: 一闸极图案,其中该闸极图案中形成有一开口; 一第一介电层,覆盖该闸极图案并填满该开口; 一通道层,配置于该闸极图案上方的该第一介电层 上; 一源极与一汲极,配置在该通道层上,其中该汲极 系位于该开口的上方;以及 一第二介电层,覆盖该源极与该汲极。 12.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体,更包 括一欧姆接触层,配置于该通道层与该源极及该汲 极之间。 13.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体,其中 该通道层之材料包括非晶矽。 14.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体,其中 该第一介电层之材料包括氮化矽、氧化矽或氮氧 化矽。 15.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体,其中 该第二介电层之材料包括氮化矽、氧化矽或氮氧 化矽。 图式简单说明: 图1绘示为习知画素结构局部示意图。 图2绘示为图1中对应于A-A'剖面线之剖面示意图。 图3绘示为本发明之较佳实施例之画素结构局部示 意图。 图4绘示为图3中对应于B-B'剖面线之剖面示意图。 图5A-图5B绘示为本发明较佳实施例之画素结构修 补流程示意图。 图6绘示为图5B中对应于C-C'剖面线之剖面示意图。 |
