发明名称 非接触积体电路标签系统
摘要 一种非接触积体电路(IC)标签系统包含多数个非接触IC标签,其每一个包含识别资讯以及一用以储存一预定资料量之记忆体;及一读取器/写入器其经由无线电将一操作命令发送至该等非接触IC标签中的每一个。该等非接触IC标签包含多数个从属IC标签与一主 IC标签,该主IC标签持有在建立一具有每个从属IC标签之记忆体的一记忆区与该主IC标签之记忆体的一记忆区之记忆空间时所用的记忆体规划资讯。
申请公布号 TWI271658 申请公布日期 2007.01.21
申请号 TW093139397 申请日期 2004.12.17
申请人 富士通股份有限公司;富士通先端科技股份有限公司 发明人 桥本繁;波江野正
分类号 G06K19/00(2006.01) 主分类号 G06K19/00(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种非接触积体电路(IC)标签系统,包含有: 多数个非接触积体电路(IC)标签,其每一个包含识 别资讯以及一用以储存一预定资料量之记忆体;及 一读取器/写入器,其经由无线电将一操作命令发 送至每一非接触积体电路(IC)标签,其中: 该等非接触积体电路(IC)标签包含多数个从属积体 电路(IC)标签与一主积体电路(IC)标签,及 该主积体电路(IC)标签持有在建立一具有每个从属 积体电路(IC)标签之记忆体的一记忆区与该主积体 电路(IC)标签之记忆体的一记忆区之记忆空间时所 用的记忆体规划资讯。 2.如申请专利范围第1项所述之非接触积体电路(IC) 标签系统,其中: 每一非接触积体电路(IC)标签包含一固定有一可重 新写入非依电性记忆体的积体电路(IC)晶片, 该主积体电路(IC)标签包含一用于该记忆体规划资 讯的记忆区与一资料记忆区在该非依电性记忆体, 及 每一从属积体电路(IC)标签包含一资料记忆区在该 非依电性记忆体。 3.如申请专利范围第1项所述之非接触积体电路(IC) 标签系统,其中该记忆体规划资讯包含每一从属积 体电路(IC)标签的识别资讯、一记忆体起始位址、 及一记忆体位元组总数。 4.如申请专利范围第1项所述之非接触积体电路(IC) 标签系统,其中该读取器/写入器包含一主积体电 路(IC)标签选择单元,其自该等非接触积体电路(IC) 标签当中选出该主积体电路(IC)标签。 5.如申请专利范围第4项所述之非接触积体电路(IC) 标签系统,其中该主积体电路(IC)标签选择单元利 用国际标准组织(ISO)18000之类型B规格中所定义的 一群组选择命令,藉由指明一特定位址记忆体来选 择该主积体电路(IC)标签。 6.如申请专利范围第1项所述之非接触积体电路(IC) 标签系统,其中该读取器/写入器包括: 一记忆体控制单元,系将同一的资料多余地储存在 至少两个非接触积体电路(IC)标签中;及 一读出控制单元,当资料不能自一被该记忆体控制 单元储存有该资料的预定非接触积体电路(IC)标被 读出时,系控制从多于储存有该资料之其它非接触 积体电路(IC)标签读出该资料。 7.如申请专利范围第6项所述之非接触积体电路(IC) 标签系统,其中: 该记忆体控制单元将该同一资料多余地储存在该 主积体电路(IC)标签以及至少一个从属积体电路(IC )标签中,及 当该资料不能自该主积体电路(IC)标签被读出时, 该读出控制单元控制从多于储存有该资料之从属 积体电路(IC)标签读出该资料。 8.一种非接触积体电路(IC)标签系统,包含有: 多数个非接触积体电路(IC)标签,其每一个包含识 别资讯以及一用以储存一预定资料量之记忆体;及 一读取器/写入器,其经由无线电将一操作命令发 送至每一非接触积体电路(IC)标签,其中: 该等非接触积体电路(IC)标签包含多数个从属积体 电路(IC)标签与一主积体电路(IC)标签, 该主积体电路(IC)标签持有连接至该主积体电路(IC )标签的一记忆区之一从属积体电路(IC)标签的记 忆体规划资讯,及 每个从属积体电路(IC)标签持有连接至该对应从属 积体电路(IC)标签的一记忆区之一从属积体电路(IC )标签的记忆体规划资讯。 9.如申请专利范围第8项所述之非接触积体电路(IC) 标签系统,其中每一非接触积体电路(IC)标签包含 一固定有一可重新写入非依电性记忆体的积体电 路(IC)晶片,具有一用于该记忆体规划资讯的记忆 区与一资料记忆区在该非依电性记忆体。 10.如申请专利范围第8项所述之非接触积体电路(IC )标签系统,其中该记忆体规划资讯包含识别资讯 、一记忆体起始位址、及该从属积体电路(IC)标签 所连接的一记忆体位元组数量。 11.如申请专利范围第8项所述之非接触积体电路(IC )标签系统,其中该读取器/写入器包含一主积体电 路(IC)标签选择单元,其自该等非接触积体电路(IC) 标签当中选出该主积体电路(IC)标签。 12.如申请专利范围第11项所述之非接触积体电路( IC)标签系统,其中该主积体电路(IC)标签选择单元 利用ISO 18000之类型B规格中所定义的一群组选择命 令,藉由指明一特定位址记忆体来选择该主积体电 路(IC)标签。 13.如申请专利范围第8项所述之非接触积体电路(IC )标签系统,其中该读取器/写入器包括: 一记忆体控制单元,系将同一的资料多余地储存在 至少两个非接触积体电路(IC)标签中;及 一读出控制单元,当资料不能自一被该记忆体控制 单元储存有该资料的预定非接触积体电路(IC)标被 读出时,系控制从多于储存有该资料之其它非接触 积体电路(IC)标签读出该资料。 14.如申请专利范围第13项所述之非接触积体电路( IC)标签系统,其中: 该记忆体控制单元将该同一资料多余地储存在该 主积体电路(IC)标签以及至少一个从属积体电路(IC )标签中,及 当该资料不能自该主积体电路(IC)标签被读出时, 该读出控制单元控制从多于储存有该资料之从属 积体电路(IC)标签读出该资料。 15.一种非接触积体电路(IC)标签系统,包含有: 多数个非接触积体电路(IC)标签,其每一个包含识 别资讯以及一用以储存一预定资料量之记忆体; 一读取器/写入器,其经由无线电将一操作命令发 送至每一非接触积体电路(IC)标签;及 一连接至该读取器/写入器之主装置,其中: 该读取器/写入器与该主装置其中之一包含: 一记忆体规划资讯储存单元,其储存用以整合该等 非接触积体电路(IC)标签之记忆体的记忆区之记忆 体规划资讯以建立一记忆空间;及 一记忆体管理单元,其根据储存于该记忆体规划资 讯储存单元之记忆体规划资讯来管理该等非接触 积体电路(IC)标签作为一个非接触积体电路(IC)标 签。 16.如申请专利范围第15项所述之非接触积体电路( IC)标签系统,其中该记忆体规划资讯储存单元储存 每一非接触积体电路(IC)标签的识别资讯、一记忆 体起始位址、及一记忆体位元组总数作为该记忆 体规划资讯。 图式简单说明: 第1图是一解释图用以说明根据本发明一实施例之 IC标签系统的观念; 第2图是一解释图用以说明根据该实施例之IC标签 系统的观念; 第3图是第2图所示的一IC标签结构的功能方块图; 第4图是被储存于第3图所示的一记忆体规划管理 区之记忆体规划资讯的一范例图; 第5图是一种情况的解释图,其中记忆体规划资讯 被管理在一连接表类型的一链系统; 第6图是一在一读取器/写入器设有记忆体规划资 讯之情况下的系统结构图;及 第7图是第6图所示的一记忆体规划资讯表的范例 图。
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