| 主权项 |
1.一种碟片原版制作方法,其系包含: 于一具有一预录资料区及一可覆写资料区之基板 之上涂布一光阻层; 雷射刻版并显影该光阻层; 第一反应性离子蚀刻该基板之该预录资料区; 第二反应性离子蚀刻该光阻层; 第三反应性离子蚀刻该基板之该预录资料区及该 可覆写资料区;以及 移除该光阻层。 2.如申请专利范围第1项所述之碟片原版制作方法, 其中该基板之材质系为一玻璃、或一石英。 3.如申请专利范围第1项所述之碟片原版制作方法, 其中该基板材质系为一陶瓷材料。 4.如申请专利范围第3项所述之碟片原版制作方法, 其中该陶瓷材料系为一氧化物、氮化物、或一碳 化物。 5.如申请专利范围第1项所述之碟片原版制作方法, 更包含: 涂布一接着剂于该基板。 6.如申请专利范围第5项所述之碟片原版制作方法, 其中该接着剂系为一界面活性剂。 7.如申请专利范围第5项所述之碟片原版制作方法, 其中该接着剂系为一黏合促进剂。 8.如申请专利范围第1项所述之碟片原版制作方法, 其中该第一反应性离子蚀刻之反应气体系具有一 含氟气体。 9.如申请专利范围第8项所述之碟片原版制作方法, 其中该含氟气体系为三氟甲烷、氟化碳、C5F10、C3 F8、或C2F6。 10.如申请专利范围第8项所述之碟片原版制作方法 ,其中该含氟气体系搭配氩气或氧气。 11.如申请专利范围第1项所述之碟片原版制作方法 ,其中该第二反应性离子蚀刻之反应气体为一含氧 气体。 12.如申请专利范围第11项所述之碟片原版制作方 法,其中该含氧气体系为氧气、或一氧化碳。 13.如申请专利范围第1项所述之碟片原版制作方法 ,其中该第三反应性离子蚀刻之反应气体系具有一 含氟气体。 14.如申请专利范围第13项所述之碟片原版制作方 法,其中该含氟气体系为三氟甲烷、氟化碳、C5F10 、C3F8、或C2F6。 15.如申请专利范围第13项所述之碟片原版制作方 法,其中该含氟气体系搭配氩气或氧气。 16.如申请专利范围第1项所述之碟片原版制作方法 ,其中移除该光阻层系利用一反应性离子清洗或一 湿式清洗。 17.如申请专利范围第1项所述之碟片原版制作方法 ,其中该反应性离子清洗之反应气体系为氩气、氧 气、氮气、氢气、氨气或其混合气体。 18.如申请专利范围第1项所述之碟片原版制作方法 ,其中该湿式清洗之反应溶液系为硝酸、盐酸、氨 水、硫酸、磷酸、或含羟基之溶液。 图式简单说明: 图1系为习知碟片原版制作方法之一示意图; 图2系为另一习知碟片原版制作方法之一示意图; 图3系为本发明之碟片原版制作方法之一流程图; 图4系为本发明碟片原版制作方法之一示意图; 图5系为本发明之碟片原版制作方法之另一流程图 ;以及 图6系为本发明之碟片原版制作方法中,基板与光 阻层之间系具有一接着剂之一示意图。 |
