| 主权项 |
1.一种形成多晶矽薄膜之方法,包括以下步骤: a.提供一基板; b.形成一非晶矽薄膜于该基板上;以及 c.感应复数个涡电流,加热该基板,使该非晶矽薄膜 形成该多晶矽薄膜。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板系 为一可挠式基板。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板系 为一金属基板。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该金属基 板系为一不锈钢薄板。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板系 为一磁性基板。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该涡电流 系由一高频退火装置达成。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该高频退 火装置包括一射频产生器。 8.一种形成多晶矽薄膜之方法,包括以下步骤: a.提供一基板; b.形成一非晶矽薄膜于该基板上; c.形成一绝缘层于该非晶矽薄膜上;以及 d.感应复数个涡电流,加热该基板,使该非晶矽薄膜 形成该多晶矽薄膜。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该基板系 为一可挠式基板。 10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该基板 系为一金属基板。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该金属 基板系为一不锈钢薄板。 12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该基板 系为一磁性基板。 13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该绝缘 层系为一氧化物层。 14.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该绝缘 层系为一氮化物层。 15.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该绝缘 层系为一氧氮化物层。 16.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该涡电 流系由一高频退火装置达成。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该高频 退火装置包括一射频产生器。 18.一种形成可挠式显示器之多晶矽薄膜之方法,包 括以下步骤: a.提供一可挠式基板于一机台上; b.形成一非晶矽薄膜于该可挠式基板上;以及 c.感应复数个涡电流,加热该基板,使该非晶矽薄膜 形成该多晶矽薄膜。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该可挠 式基板系为一金属基板。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该金属 基板系为一不锈钢薄板。 21.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该可挠 式基板系为一磁性基板。 22.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该涡电 流系由一高频退火装置达成。 23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该高频 退火装置包括一射频产生器。 24.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该机台 系为一卷带式(roll to roll)机台。 25.一种形成可挠式显示器之多晶矽薄膜之方法,包 括以下步骤: a.提供一可挠式基板于一机台上; b.形成一非晶矽薄膜于该可挠式基板上; c.形成一绝缘层于该非晶矽薄膜上;以及 d.感应复数个涡电流,加热该基板,使该非晶矽薄膜 形成该多晶矽薄膜。 26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该可挠 式基板系为一金属基板。 27.如申请专利范围第26项所述之方法,其中该金属 基板系为一不锈钢薄板。 28.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该可挠 式基板系为一磁性基板。 29.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该绝缘 层系为一氧化物层。 30.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该绝缘 层系为一氮化物层。 31.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该绝缘 层系为一氧氮化物层。 32.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该涡电 流系由一高频退火装置达成。 33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中该高频 退火装置包括一射频产生器。 34.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该机台 系为一卷带式(roll to roll)机台。 图式简单说明: 图一系为根据本发明之形成多晶矽薄膜之方法; 图二系为使用本发明之形成多晶矽薄膜之方法所 形成之横切面结构示意图;以及 图三系为根据本发明之形成可挠式显示器之多晶 矽薄膜之方法。 |
