| 主权项 |
1.一种基板结构之制造方法,其步骤包括: 提供一载板,其表面上由下而上依序设置有至少一 黏着层及至少一导电层; 分别形成一图案化薄膜及一薄膜于该导电层上及 该载板下; 以该图案化薄膜为罩幕,以贯穿该黏着层及该导电 层形成一图案化通槽; 移除该图案化薄膜及该薄膜; 填充至少一绝缘材料于该导电层上且填满该图案 化通槽; 形成至少一铜于该绝缘材料上; 形成数凹槽贯穿部分该铜及部分该绝缘材料,以露 出部分该导电层; 形成数传导层于该等凹槽内周围;以及 移除该载板。 2.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该载板系由金属、玻璃、陶瓷或高分子 材质所构成者。 3.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该黏着层系由金属、传导材质或高分子 物质所构成者。 4.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该载板系设置有数容置槽,且部分该黏着 层、部分该导电层及部分该绝缘材料系形成于该 等容置槽内周围且延伸至该载板表面上。 5.如申请专利范围第4项所述之基板结构之制造方 法,其中,该黏着层系填满该等容置槽。 6.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该黏着层系利用黏贴方式、压合、印刷 、喷涂、旋转涂布、蒸镀、溅镀、无电解电镀或 电镀法设置在该载板上。 7.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该导电层系利用黏贴方式、压合、印刷 、喷涂、旋转涂布、蒸镀、溅镀、无电解电镀或 电镀法设置在该黏着层上。 8.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该图案化薄膜及该薄膜系利用微影制程 形成。 9.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该图案化通槽系利用雷射雕刻法或蚀刻 法形成。 10.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该绝缘材料系利用压合法、旋转涂布或 印刷法形成。 11.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该传导层系为铜材质所构成者。 12.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该传导层系利用压合法、无电解电镀、 印刷法或电镀法形成。 13.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该等凹槽系利用机械钻孔、雷射钻孔或 电浆蚀刻法形成。 14.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该载板移除之步骤前或后,更包括一形成 至少一抗蚀剂或防焊层填满该等凹槽,且延伸至部 分该铜表面之步骤。 15.如申请专利范围第14项所述之基板结构之制造 方法,其中,该载板移除后,更包括分别形成至少一 金属层于该铜上之步骤,且使该抗蚀剂或该防焊层 露出,以形成一晶片承载区及数导电接点区。 16.如申请专利范围第15项所述之基板结构之制造 方法,其中,该金属层更可设置于该黏着层下且露 出该绝缘材料下表面。 17.如申请专利范围第15项或第16项所述之基板结构 之制造方法,其中,该金属层形成之步骤后,更包括 设置至少一晶片于该晶片承载区上之步骤,且该晶 片利用数条引线与该等导电接点区形成电性连接, 且形成一封装胶体位于该铜上之金属层上。 18.如申请专利范围第1项所述之基板结构之制造方 法,其中,该载板移除之步骤后,更包括形成至少一 防焊层于部分该铜上及部分该黏着层下之步骤,且 位于部分该铜及部分该黏着层下之防焊层分别填 满该等凹槽及露出部分该黏着层下表面。 19.如申请专利范围第18项所述之基板结构之制造 方法,其中,该防焊层形成之步骤后,更包括分别形 成至少一金属层于部分该铜上及部分该黏着层下 之步骤。 20.如申请专利范围第4项或第5项所述之基板结构 之制造方法,其中,该传导层系设置于该等容置槽 内四周围且延伸至该铜表面上。 21.如申请专利范围第20项所述之基板结构之制造 方法,其中,该等传导层形成于该等容置槽内四周 围之步骤后,更包括一形成一贯穿的图案化通道贯 穿部分该铜上或贯穿部分该铜及位于其上之该传 导层上之步骤。 22.如申请专利范围第21项所述之基板结构之制造 方法,其中,该图案化通道内可依序由下而向上设 置该绝缘材料、该铜及该传导层,以形成一堆叠结 构。 23.如申请专利范围第21项所述之基板结构之制造 方法,其中,该图案化通道形成后,更包括形成至少 一防焊层于该图案化通道内且延伸至部分该铜表 面上之步骤。 24.如申请专利范围第23项所述之基板结构之制造 方法,其中,该载板移除之步骤前或后,更包括形成 至少一金属层于部分该传导层上且露出该防焊层 之步骤,以形成一晶片承载区及数个导电接点区。 25.如申请专利范围第24项所述之基板结构之制造 方法,其中,该金属层形成之步骤后,更包括形成至 少一晶片于该晶片承载区之步骤,且该晶片利用数 条引线与该等导电接点区形成电性连接,并利用一 封装胶体包覆该晶片及该等引线。 26.如申请专利范围第23项所述之基板结构之制造 方法,其中,该载板移除之步骤后,更包括一进行反 转之步骤,以使该防焊层位于最下层,而该黏着层 位于最上层。 27.如申请专利范围第26项所述之基板结构之制造 方法,进行反转之步骤后,更包括分别形成至少一 金属层于该黏着层上及该传导层下,并分别露出部 分该绝缘材料及露出该黏着层之步骤。 28.如申请专利范围第27项所述之基板结构之制造 方法,其中,该金属层形成之步骤后,更包括分别设 置至少一晶片及数焊球于位于该黏着层上之该金 属层上及位于该传导层下之该金属层下之步骤,并 形成一封装胶体以包覆该晶片。 29.一种基板结构,包括: 至少一导电层,其系具有一贯穿的图案化通槽; 至少一绝缘材料,其系位于部分该导电层上且填满 该图案化通槽; 至少一铜,其系设置于该绝缘材料上且形成数凹槽 贯穿部分该绝缘材料,以露出部分该导电层;以及 至少一传导层,其系设置于该等凹槽内周围。 30.如申请专利范围第29项所述之基板结构,其中,该 导电层系设置于一黏着层上。 31.如申请专利范围第30项所述之基板结构,其中,该 黏着层系由金属、传导材质或高分子物质所构成 者。 32.如申请专利范围第29项所述之基板结构,更包括 至少一防焊层,其系填满该等凹槽且延伸至部分该 铜表面上。 33.如申请专利范围第32项所述之基板结构,更包括 至少一金属层,其系设置于该铜上且露出该防焊层 ,使形成一晶片承载区及数个导电接点区。 34.如申请专利范围第33项所述之基板结构,该金属 层更可设置于该导电层下且露出该绝缘材料。 35.如申请专利范围第33项或第34项所述之基板结构 ,更包括至少一晶片,其系设置于该晶片承载区上, 且利用数条引线与该等导电接点区形成电性连接, 且有一封装胶体包覆该晶片及该等引线。 36.如申请专利范围第32项所述之基板结构,其中,该 防焊层更可设置于该导电层及该绝缘材料下,且露 出部分该导电层。 37.如申请专利范围第36项所述之基板结构,更包括 至少一金属层,其系设置于该铜上及该导电层下, 且分别使该防焊层露出。 38.如申请专利范围第29项所述之基板结构,其中,该 导电层系具有数下凹部,且该传导层延伸至该铜上 ,并露出部分该绝缘材料。 39.如申请专利范围第38项所述之基板结构,其中,该 绝缘材料系位于该导电层上且填满该等下凹部。 40.如申请专利范围第38项所述之基板结构,更包括 至少一防焊层,其系设置于露出之该绝缘材料上且 延伸至部分该铜表面上。 41.如申请专利范围第40项所述之基板结构,更包括 至少一金属层,其系设置于部分该铜或部分该传导 层上。 42.如申请专利范围第41项所述之基板结构,其中,形 成有一晶片承载区及数个导电接点区,在该晶片承 载区上设置一晶片,其利用数条引线与该等导电接 点区形成电连接,且有一封装胶体包覆该晶片及该 等引线。 43.如申请专利范围第41项所述之基板结构,其中,该 金属层更可设置于该导电层下,且露出部分该绝缘 材料。 44.如申请专利范围第43项所述之基板结构,更包括 至少一晶片,其系设置于位于该导电层下之该金属 层下,且有数焊球设置于位于部分该铜上之该金属 层上,且有一封装胶体包覆该晶片。 45.如申请专利范围第38项所述之基板结构,其中,该 导电层填满该等下凹部。 图式简单说明: 第1图为本发明之基板结构之结构剖视图。 第2图为本发明之另一结构之实施例。 第3图为应用本发明之基板结构所制作出一晶片封 装结构之结构剖视图。 第4图为应用本发明之基板结构所制作出另一晶片 封装结构之结构剖视图。 第5图为应用本发明之基板结构所制作出再一晶片 封装结构之结构剖视图。 第6图为应用本发明之基板结构所制作出又一晶片 封装结构之结构剖视图。 第7图为应用本发明之基板结构所制作出又一晶片 封装结构之结构剖视图。 第8(a)图至第8(h)图为本发明之基板结构之制造方 法的各步骤结构剖视图。 第9(a)图至第9(k)图为本发明之另一制造方法的各 步骤结构剖视图。 第10(a)图至第10(l)图为本发明之再一制造方法的各 步骤结构剖视图。 |
