| 主权项 |
1.一种拭除在一NAND快闪记忆体元件中所储存之资 料的方法,该NAND快闪记忆体元件包括具有复数个 单元串之复数个单元区块及由复数个高压电晶体 所构成之复数个X-解码器,该方法包括: 在一用以移除单元区块中之一的资料之拭除操作 期间将一漏电保护电压施加至X-解码器中高压电 晶体之一井区。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中漏电保护电压 系在-0.1~-1.0V范围内。 3.一种拭除在一NAND快闪记忆体元件中所储存之资 料的方法,该NAND快闪记忆体元件包含复数个单元 区块,其中每一单元区块具有单元串、位元线、字 元线、连接于单元串与位元线间之串选择电晶体 及连接于单元串与一共用接地线间之接地选择电 晶体,及复数个X-解码器,其中每一X-解码器具有闸 极串选择高压电晶体,用以施加预定闸极电压至串 选择电晶体、接地选择电晶体、及记忆体单元之 闸极端、闸极接地选择高压电晶体、及单元闸控 高压电晶体,该方法包括: 对一拭除操作选择单元区块中之一; 在耦接至该选取单元区块之X-解码器中,施加一电 源电压至闸极串选择高压电晶体、闸极接地选择 高压电晶体及单元闸控高压电晶体之闸极端,施加 一漏电保护电压至高压电晶体之一井,及施加一浮 动电压至闸极串选择高压电晶体及闸极接地选择 电晶体之汲极端; 在耦接至一未选取单元区块之X-解码器中,施加一 接地电压至单元闸控高压电晶体之汲极端及闸极 串选择高压电晶体、闸极接地选择高压电晶体及 单元闸控高压电晶体之闸极端;以及 施加一拭除电压至复数个单元区块之井区。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中漏电保护电压 系在-0.1~-10V范围内。 5.如申请专利范围第3项之方法,其中浮动电压系在 3.5~5.5V范围内,同时拭除电压系在20~22V范围内。 图式简单说明: 第1图系描述一传统问题之示意图; 第2图系描述依据本发明之拭除一NAND快闪记忆体 元件的方法之示意图; 第3A图系描述在一要拭除之单元区块中一施加至 一X-解码器之一高压电晶体的电压之示意图,而第3 B图系描述在一不要拭除之单元区块中一施加至一 X-解码器之一高压电晶体的电压之示意图;以及 第4及5图系描绘依据本发明之高压元件中的漏电 压之图形。 |
