| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体的制作方法,包括: 在一基板上形成一闸极; 在该基板上形成一闸绝缘层以覆盖该闸极; 在该闸绝缘层上及该闸极上方形成一图案化半导 体层; 依序在该图案化半导体层上形成一第一导电层与 一第二导电层; 图案化该第二导电层,同时使该闸极上方两侧的该 第二导电层具有一倾斜截面(taper profile),并暴露出 该第一导电层; 进行一第一电浆处理制程,使该第二导电层之表面 与该倾斜截面处形成一第一保护层;以及 移除未被该第一保护层以及该第二导电层覆盖的 该第一导电层,以形成一源极/汲极。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中该第二导电层之材质包括铜。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中该第一保护层之材质包括氧化铜或氮化 铜。 4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中该第一导电层之材质是选自于钼、钼化 钨、钽及其组合其中之一。 5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中该第一电浆处理制程所使用之反应气体 是选自于氧气、氮气、二氧化氮、氨气及其组合 其中之一。 6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中图案化该第二导电层之方法包括: 在该基板上形成一图案化光阻层,其暴露位于该闸 极上方之该第二导电层;以及 以该图案化光阻层为罩幕,进行一湿式蚀刻制程以 蚀刻该第二导电层直到该第一导电层被暴露出,并 且被蚀刻后的该第二导电层具有该倾斜截面。 7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中移除未被该第一保护层以及该第二导电 层覆盖的该第一导电层之方法包括进行一乾式蚀 刻制程。 8.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中该乾式蚀刻制程所使用之气体是选自于 六氟化硫(SF6)、氧气(O2)、氯气(Cl2)、氯化氢(HCl)、 三氟甲烷(CHF3)及其组合其中之一。 9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中该图案化半导体层包括一图案化通道层 与一图案化欧姆接触层,且该图案化欧姆接触层位 于该图案化通道层上。 10.如申请专利范围第9项所述之薄膜电晶体的制作 方法,更包括进行一背通道蚀刻制程,以移除该闸 极上方之该图案化欧姆接触层与部分之该图案化 通道层。 11.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中在该基板上形成该闸极之方法包括: 依序在该基板上形成一第三导电层与一第四导电 层; 图案化该第四导电层; 进行一第二电浆处理制程,使该第四导电层之表面 形成一第二保护层;以及 移除未被该第二保护层以及该第四导电层所覆盖 之该第三导电层,以形成该闸极。 12.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体的制 作方法,其中该第四导电层之材质包括铜。 13.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体的制 作方法,其中该第二保护层之材质包括氧化铜或氮 化铜。 14.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体的制 作方法,其中该第三导电层之材质是选自于钼、钼 化钨、钽及其组合其中之一。 15.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体的制 作方法,其中该第二电浆处理制程所使用之反应气 体是选自于氧气、氮气、二氧化氮、氨气及其组 合其中之一。 16.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体的制 作方法,其中移除未被该第二保护层以及该第四导 电层所覆盖之该第三导电层之方法包括进行一乾 式蚀刻制程。 17.如申请专利范围第16项所述之薄膜电晶体的制 作方法,其中该乾式蚀刻制程所使用之气体是选自 于六氟化硫(SF6)、氧气(O2)、氯气(Cl2)、氯化氢(HCl) 、三氟甲烷(CHF3)及其组合其中之一。 18.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体的制 作方法,其中图案化该第四导电层之方法包括进行 一微影制程以及一湿式蚀刻制程。 图式简单说明: 图1绘示为习知利用钼/铜/钼之多层金属层进行薄 膜电晶体之源极/汲极的制作的剖面示意图。 图2绘示为进行乾式蚀刻移除闸极上方之钼金属层 ,以及进行背通道蚀刻制程的剖面示意图。 图3A-图3J绘示为本发明较佳实施例中一种薄膜电 晶体的制作方法之步骤流程剖面示意图。 图4A-图4E绘示为本发明之实施例中一种形成闸极 之方法的步骤流程剖面图。 |
