| 主权项 |
1.一种半导体装置,系在半导体层上隔着闸极绝缘 膜形成闸极,并以邻接该闸极之方式形成源极、汲 极区域,其中, 形成于上述闸极绝缘膜下方的临限电压调整用离 子植入层,系形成时利用前述开极绝缘膜的膜厚差 而在上述源极区域侧与该上述汲极区域侧具有不 同的杂质浓度者。 2.一种半导体装置,系在半导体层上隔着闸极绝缘 膜形成闸极,并以邻接该闸极之方式形成源极、汲 极区域,其中, 上述闸极绝缘膜系由厚度较厚的闸极绝缘膜与厚 度较薄的闸极绝缘膜所构成, 且仅在上述厚度较薄的闸极绝缘膜下方形成临限 电压调整用离子植入层。 3.一种半导体装置,系具备有: 形成于半导体层上之厚度较厚的闸极绝缘膜与厚 度较薄的闸极绝缘膜; 仅在上述厚度较薄的闸极绝缘膜下方形成的临限 电压调整用离子植入层; 以横跨上述厚度较厚的闸极绝缘膜与厚度较薄的 闸极绝缘膜之方式形成的闸极;以及 以邻接上述闸极之方式形成的源极、汲极区域, 而构成位准移位器用电晶体。 4.一种半导体装置之制造方法,系具备有:在半导体 层上隔着闸极绝缘膜而形成的闸极;以及以邻接该 闸极之方式形成的源极、汲极区域之半导体装置 之制造方法;其中 利用前述闸极绝缘膜的膜厚差,于上述闸极绝缘膜 下方,以上述源极区域侧与上述汲极区域侧具有不 同杂质浓度之方式,形成临限电压调整用离子植入 层。 5.一种半导体装置之制造方法,系具备有:在该半导 体层上隔着闸极绝缘膜而形成的闸极;以及以邻接 该闸极之方式形成的源极、汲极区域之半导体装 置之制造方法,包含有: 在上述半导体层上,形成厚度较厚的闸极绝缘膜、 及以连接于该厚度较厚的闸极绝缘膜之方式形成 厚度较薄之闸极绝缘膜的步骤;以及 仅在上述厚度较薄的闸极绝缘膜下方形成临限电 压调整用离子植入层的步骤。 6.一种半导体装置之制造方法,系包含有: 在半导体层上,形成厚度较厚的闸极绝缘膜、及以 连接该厚度较厚的闸极绝缘膜之方式形成厚度较 薄的闸极绝缘膜的步骤; 仅在上述厚度较薄的闸极绝缘膜下方形成临限电 压调整用离子植入层的步骤; 以横跨上述厚度较厚的闸极绝缘膜与厚度较薄的 闸极绝缘膜之方式形成闸极的步骤;以及 以邻接上述闸极之方式形成源极、汲极区域的步 骤, 而构成位准移位器用电晶体。 7.如申请专利范围第5项或第6项之半导体装置之制 造方法,其中上述形成离子植入层的步骤,系利用 上述厚度较厚的闸极绝缘膜与上述厚度较薄的闸 极绝缘膜间的厚度差,以自我对准方式形成。 图式简单说明: 第1图系显示本发明一实施形态的半导体装置之制 造方法的剖面图。 第2图系显示本发明一实施形态的半导体装置之制 造方法的剖面图。 第3图系显示本发明一实施形态的半导体装置之制 造方法的剖面图。 第4图系显示本发明一实施形态的半导体装置之制 造方法的剖面图。 第5图系显示本发明一实施形态的半导体装置之制 造方法的剖面图。 第6图系显示本发明一实施形态的半导体装置之制 造方法的剖面图。 第7图系显示本发明一实施形态的半导体装置之制 造方法的剖面图。 第8图系显示本发明一实施形态的半导体装置之制 造方法的剖面图。 第9图系显示本发明一实施形态的半导体装置之制 造方法的剖面图。 第10图系显示本发明一实施形态的半导体装置之 制造方法的剖面图。 第11图系显示本发明一实施形态的半导体装置之 制造方法的剖面图。 第12图系显示本发明一实施形态的半导体装置之 制造方法的剖面图。 第13图系显示习知半导体装置之剖面图。 |
