| 主权项 |
1.一种显示元件之封装结构,包括有: 一玻璃基板,其上表面上设有一发光元件; 一盖板,其下表面之边框处系与该玻璃基板之上表 面边框处接合,以构成一密闭空间; 一接合层,系形成于该玻璃基板与该盖板之边框接 合处; 一第一金属附着层,系形成于该玻璃盖板之下表面 的边框处; 一第一金属匹配层,系形成于该第一金属附着层之 表面上; 一第二金属附着层,系形成于该玻璃基板之上表面 的边框处;以及 一第二金属匹配层,系形成于该第二金属附着层之 表面上; 其中,该接合层系设置于该第一金属匹配层与该第 二金属匹配层之间,且该接合层系由具有低共熔点 之合金所构成,且该合金之共熔点范围为100~300℃; 其中,该第一、第二金属附着层系由以下任一材质 所构成:Cr、Ti、Ta、V、Mo。 2.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中该接合层系由铟锡合金所构成。 3.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中该接合层系由铅锡合金所构成。 4.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中该接合层系由锡合金所构成。 5.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中该盖板系由玻璃或金属所构成。 6.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中当该接合层系由铟锡合金或铅锡合金或锡 合金所构成时,则该第一、第二金属匹配层系由常 使用于真空之金属和合金所构成,包括有Au、Cu、Ni 、Al等。 7.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中当该接合层系由铟锡合金或铅锡合金或锡 合金所构成时,则该第一、第二金属匹配层系由一 氧化物所构成,且该氧化物含有以下任一材质:Cu、 Al、Fe、Ni、Zr。 8.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中当该接合层系由铅锡合金或锡合金所构成 时,则该第一、第二金属匹配层系由银/镍双层金 属结构所构成。 9.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中该玻璃盖板之下表面包含有一凹槽,系相 对应于该接合层之位置。 10.如申请专利范围第9项所述之显示元件之封装结 构,其中该凹槽系利用一耐高温材质所围成。 11.如申请专利范围第10项所述之显示元件之封装 结构,其中该耐高温材质系由以下任一材质所构成 :聚亚醯胺(PI)、陶瓷、玻璃材料。 12.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中该玻璃基板之上表面包含有一预备外露之 电极,系位于该密闭空件以外的区域。 13.如申请专利范围第12项所述之显示元件之封装 结构,其中该预备外露之电极表面上覆盖有一绝缘 层。 14.如申请专利范围第13项所述之显示元件之封装 结构,其中该绝缘层系由以下任一种材质所构成: 二氧化矽(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化铬(Cr2O3)或其 他金属氧化物。 15.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中该显示元件系为一有机发光二极体(organic light emitting diode, OLED)。 16.如申请专利范围第1项所述之显示元件之封装结 构,其中该显示元件系为一高分子发光二极体( polymer light emitting diode, PLED)。 17.一种显示元件之封装方法,包括有下列步骤: 提供一玻璃基板,其上表面包含有一发光元件以及 一预备外露之电极; 于该预备外露之电极的表面上覆盖一绝缘层; 提供一盖板; 于该盖板之下表面的边框处形成一第一金属附着 层,并于该玻璃基板之上表面的边框处形成一第二 金属附着层; 于该第一金属附着层之表面上形成一第一金属匹 配层,并于该第二金属附着层之表面上形成一第二 金属匹配层; 提供一接合层于该第一金属匹配层与该第二金属 匹配层之间,其中该接合层系由具有低共熔点之合 金所构成且该合金之共熔点范围为100~300℃; 将该盖板下表面之边框处固定于该玻璃基板之上 表面的边框处,以封装该发光元件;以及 对该接合层进行热处理。 18.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中该接合层系由铟锡合金所构成。 19.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中该接合层系由铅锡合金所构成。 20.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中该接合层系由锡合金所构成。 21.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中该盖板系由玻璃或金属所构成。 22.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中当该接合层系由铟锡合金或铅锡合金或 锡合金所构成时,则该第一、第二金属匹配层系由 常使用于真空之金属和合金所构成,包括有Au、Cu 、Ni、Al等。 23.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中当该接合层系由铟锡合金或铅锡合金或 锡合金所构成时,则该第一、第二金属匹配层系由 一氧化物所构成,且该氧化物含有以下任一材质:Cu 、Al、Fe、Ni、Zr。 24.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中当该接合层系由铅锡合金或锡合金所构 成时,则该第一、第二金属匹配层系由银/镍双层 金属结构所构成。 25.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中该第一、第二金属附着层系由以下任一 材质所构成:Cr、Ti、Ta、V、Mo。 26.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中于提供该玻璃盖板之前,另包含有一步 骤:将一耐高温材质贴在该玻璃盖板之下表面,以 围成一凹槽,并使该凹槽相对应于该接合层之位置 。 27.如申请专利范围第26项所述之显示元件之封装 方法,其中该耐高温材质系由下列任一种材质所构 成:聚亚醯胺(PI)、陶瓷、玻璃材料。 28.如申请专利范围第27项所述之显示元件之封装 方法,其中该绝缘层系由以下任一种材质所构成: 二氧化矽(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化铬(Cr2O3)或其 他金属氧化物。 29.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中该显示元件系为一有机发光二极体( organic light emitting diode, OLED)。 30.如申请专利范围第17项所述之显示元件之封装 方法,其中该显示元件系为一高分子发光二极体( polymer light emitting diode, PLED)。 31.一种显示元件之封装结构,包括有: 一玻璃基板,其上表面上设有一发光元件; 一盖板,其下表面之边框处系与该玻璃基板之上表 面边框处接合,以构成一密闭空间;以及 一接合层,系形成于该玻璃基板与该盖板之边框接 合处,其中该接合层系由具有低共熔点之合金所构 成,且该合金之共熔点范围为100~300℃; 其中,该盖板之下表面包含有一凹槽,且该凹槽相 对应于该接合层之位置,该凹槽系利用一耐高温材 质所围成。 32.如申请专利范围第31项所述之显示元件之封装 结构,其中该耐高温材质系由以下任一材质所构成 :聚亚醯胺(PI)、陶瓷、玻璃材料。 33.如申请专利范围第31项所述之显示元件之封装 结构,其中该接合层系由以下任一材质所构成:铟 锡合金铅锡合金、锡合金。 34.如申请专利范围第31项所述之显示元件之封装 结构,其中该盖板系由玻璃或金属所构成。 35.如申请专利范围第31项所述之显示元件之封装 结构,另包含有: 一第一金属附着层,系形成于该玻璃盖板之下表面 的边框处; 一第一金属匹配层,系形成于该第一金属附着层之 表面上; 一第二金属附着层,系形成于该玻璃基板之上表面 的边框处;以及 一第二金属匹配层,系形成于该第二金属附着层之 表面上。 36.如申请专利范围第35项所述之显示元件之封装 结构,其中该接合层系设置于该第一金属匹配层与 该第二金属匹配层之间。 37.如申请专利范围第35项所述之显示元件之封装 结构,其中当该接合层系由铟锡合金或铅锡合金或 锡合金所构成时,则该第一、第二金属匹配层系由 常使用于真空之金属和合金所构成,包括有Au、Cu 、Ni、Al等。 38.如申请专利范围第35项所述之显示元件之封装 结构,其中当该接合层系由铟锡合金或铅锡合金或 锡合金所构成时,则该第一、第二金属匹配层系由 一氧化物所构成,且该氧化物含有以下任一材质:Cu 、Al、Fe、Ni、Zr。 39.如申请专利范围第35项所述之显示元件之封装 结构,其中当该接合层系由铅锡合金或锡合金所构 成时,则该第一、第二金属匹配层系由银/镍双层 金属结构所构成。 40.如申请专利范围第35项所述之显示元件之封装 结构,其中该第一、第二金属附着层系由以下任一 材质所构成:Cr、Ti、Ta、V、Mo。 41.如申请专利范围第31项所述之显示元件之封装 结构,其中该显示元件系为一有机发光二极体( organic light emitting diode, OLED)或一高分子发光二极 体(polymer light emitting diode, PLED)。 图式简单说明: 第1图显示习知OLED/PLED显示元件之封装结构的剖面 示意图。 第2图显示本发明第一实施例之OLED/PLED显示元件之 封装结构的剖面示意图。 第3图显示本发明第一实施例之OLED/PLED显示元件之 封装方法的流程图。 第4图显示本发明第二实施例之OLED/PLED显示元件之 封装结构的剖面示意图。 第5图显示本发明第二实施例之OLED/PLED显示元件之 封装方法的流程图。 第6A与6B图显示本发明第三实施例之OLED/PLED显示元 件之封装结构的剖面示意图。 |
