| 主权项 |
1.一种半导体结构,包括: 一第一闸极结构,其侧壁上形成有至少一第一间隔 物,位于一半导体基底上; 一第二闸极结构,其侧壁上形成有至少一第一间隔 物,位于一半导体基底上,该第二闸极结构系邻近 于该第一闸极结构;以及 一含氮蚀刻停止层,形成于该第一与第二闸极结构 上以及该半导体基底上,其中形成于该第一与第二 闸极结构上之该含氮蚀刻停止层具有大体相同于 形成于该半导体基底上之该含氮蚀刻停止层之一 厚度,以改善后续形成于该第一与第二闸极结构间 之该含氮蚀刻停止层上之一膜层之步阶覆盖情形 。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体结构,其中该 第一与该第二闸极结构具有不大于200奈米之一间 距。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体结构,其中该 含氮蚀刻停止层之厚度不大于600埃。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体结构,其中该 第一与该第二间隔物之厚度不大于350埃。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体结构,其中该 含氮蚀刻停止层具有不低于1.1GPa之一拉伸应力。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体结构,其中该 含氮蚀刻停止层包括氮化矽或氮氧化矽。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体结构,其中该 含氮蚀刻停止层具有不低于5之介电常数。 8.如申请专利范围第1项所述之半导体结构,其中该 第一与第二闸极结构更包括一含金属膜层,该一含 金属膜层包括耐火金属、金属矽化物、矽化钛、 矽化钴、矽化镍、矽化铂、钨、矽化钨、氮化钛 、钨化钛或氮化钽。 9.一种半导体结构之形成方法,包括下列步骤: 提供一半导体基底,其上形成有相邻之一第一闸极 结构与一第二闸极结构; 形成一蚀刻停止层于该第一与第二闸极结构与该 半导体基底上,其中形成于该第一与第二闸极结构 上之该蚀刻停止层与形成于该半导体基底上之该 蚀刻停止层大体具有相同之一厚度,该蚀刻停止层 系采用一低压化学气相沉积制程于不高于520℃之 温度下所形成;以及 形成一层间介电层于该蚀刻停止层上,其中覆盖于 该第一与该第二闸极结构间之该蚀刻停止层上之 该层间介电层不具有孔洞。 10.如申请专利范围第9项所述之半导体结构之形成 方法,其中形成该蚀刻停止层之步骤为一大体无电 浆之操作。 11.如申请专利范围第9项所述之半导体结构之形成 方法,其中该蚀刻停止层包括氮化矽或氮氧化矽之 一含氮材料。 12.如申请专利范围第9项所述之半导体结构之形成 方法,其中该蚀刻停止层具有不高于5之一介电常 数。 13.如申请专利范围第9项所述之半导体结构之形成 方法,其中该蚀刻停止层之厚度不大于600埃。 14.如申请专利范围第9项所述之半导体结构之形成 方法,其中该蚀刻停止层具有不高于1.1GPa之一拉伸 应力。 15.一种半导体结构,包括: 一第一闸极结构,其侧壁上形成有至少一第一间隔 物,位于一半导体基底上; 一第二闸极结构,其侧壁上形成有至少一第一间隔 物,位于一半导体基底上,该第二闸极结构系邻近 于该第一闸极结构;以及 一含氮蚀刻停止层,形成于该第一与第二闸极结构 上以及该半导体基底上,其中该含氮蚀刻停止层具 有不多于600埃之一厚度且形成于该第一与第二闸 极结构上之该含氮蚀刻停止层具有大体相同于形 成于该半导体基底上之该含氮蚀刻停止层之一厚 度,以改善后续形成于该第一与第二闸极结构间之 该含氮蚀刻停止层上之一膜层之步阶覆盖情形。 16.如申请专利范围第15项所述之半导体结构,其中 该第一与该第二间隔物具有不大于350埃之厚度。 17.如申请专利范围第15项所述之半导体结构,其中 该含氮蚀刻停止层具有不低于1.1GPa之一拉伸应力 。 18.如申请专利范围第15项所述之半导体结构,其中 该含氮蚀刻停止层包括氮化矽或氮氧化矽。 19.如申请专利范围第15项所述之半导体结构,其中 该含氮蚀刻停止层具有不低于5之介电常数。 20.如申请专利范围第15项所述之半导体结构,其中 该第一与第二闸极结构更包括一含金属膜层,该含 金属膜层包括耐火金属、金属矽化物、矽化钛、 矽化钴、矽化镍、矽化铂、钨、矽化钨、氮化钛 、钨化钛或氮化钽。 图式简单说明: 第1图为一剖面图,显示了习知之一半导体结构,其 上设置有一非固定厚度之一蚀刻停止层; 第2图为一剖面图,显示了依据本发明一实施例之 一半导体结构,其上设置有一顺应之蚀刻停止层; 以及 第3图为一剖面图,显示了依据本发明一实施例之 设置有一顺应之蚀刻停止层一半导体结构,于该蚀 刻停止层上形成有一层间介电层。 |
