发明名称 相位差板及圆偏光板
摘要 本发明系提供一种可广幅化及薄层化、且面内没有缺点之相位差板及圆偏光板。本发明系有关一种相位差板,其具有透明载体以及含水平配向的棒状液晶性化合物之第1及第2光学异方向性层,其中第1及第2光学异方向性层的棒状液晶性化合物中至少一者为式Q1-L1-A1-L3-M-L4-A2-L2-Q2所示化合物,该第1光学异方向性层在测定波长550nm之相位差实质上为π,该第2光学异方向性层在测定波长550nm之相位差实质上为π/2,且该第2光学异方向性层面内之迟相轴与第1光学异方向性层面内之迟相轴的角度实质上为60°,及关于一种具有该相位差板与45°偏光膜之圆偏光板(其中,Q1及Q2各表示独立的聚合性基,L1~L4各表示单键或二价键结基,A1及A2系表示间隔基,M系表示中位基)。
申请公布号 TWI271538 申请公布日期 2007.01.21
申请号 TW092121448 申请日期 2003.08.06
申请人 富士照相软片股份有限公司 发明人 伊藤忠;竹内宽
分类号 G02B1/00(2006.01);G02F1/1335(2006.01);C09K19/38(2006.01) 主分类号 G02B1/00(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;何秋远 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种相位差板,其具有透明载体、含水平配向的 棒状液晶性化合物之第1光学异方向性层及含水平 配向的棒状液晶性化合物之第2光学异方向性层, 其中第1光学异方向性层及第2光学异方向性层之 棒状液晶性化合物中至少一者为下述通式(I)所示 化合物,该第1光学异方向性层在测定波长550nm之相 位差实质上为,该第2光学异方向性层在测定波 长550nm之相位差实质上为/2,且第2光学异方向性 层面内之迟相轴与第1光学异方向性层面内之迟相 轴的角度实质上为60, Q1-L1-A1-L3-M-L4-A2-L2-Q2 (其中,Q1及Q2系各表示独立的聚合性基,L1、L2、L3及 L4系各表示单键或二价键结基,L3及L4中至少一者为 -O-CO-O-,A1及A2系表示碳数2-20之间隔基,M系表示中位 基)。 2.一种圆偏光板,其具有实质上与薄膜长度方向为 45或-45之角度上具透过轴的偏光膜、长尺状透明 载体、含水平配向的棒状液晶性化合物之第1光学 异方向性层及含水平配向的棒状液晶性化合物之 第2光学异方向性层,其中该第1光学异方向性层及 第2光学异方向性层之棒状液晶性化合物中至少一 者为下述通式(I)所示化合物,该第1光学异方向性 层在测定波长550nm之相位差实质上为,第2光学异 方向性层在测定波长550nm之相位差实质上为/2, 该偏光膜之透过轴与透明载体之长度方向实质上 具有45或-45之角度,且第2光学异方向性层面内之 迟相轴与第1光学异方向性层面内之迟相轴的角度 实质上为60, Q1-L1-A1-L3-M-L4-A2-L2-Q2 (其中,Q1及Q2系各表示独立的聚合性基,L1、L2、L3及 L4系各表示单键或二价键结基,L3及L4中至少一者为 -O-CO-O-,A1及A2系表示碳数2-20之间隔基,M系表示中位 基)。 图式简单说明: 第1图系为本发明相位差板例之示意图。 第2图系为本发明圆偏光板例之示意图。 第3图系为使聚合物薄膜斜向延伸之本发明方法例 的示意平面图。 第4图系为使聚合物薄膜斜向延伸之方法例的示意 平面图。 第5图系为使聚合物薄膜斜向延伸之方法例的示意 平面图。 第6图系为使聚合物薄膜斜向延伸之方法例的示意 平面图。 第7图系为使聚合物薄膜斜向延伸之方法例的示意 平面图。 第8图系为使聚合物薄膜斜向延伸之方法例的示意 平面图。 第9图系为使习知偏光板钻孔之示意平面图。 第10图系为使本发明使用的45偏光板钻孔之示意 平面图。 第11图系为本发明圆偏光板之层构成例之示意截 面图。 第12图系为本发明圆偏光板之层构成之另一例的 示意截面图。 第13图系为实施例4制作的圆偏光板之层构成的示 意截面图。
地址 日本