| 主权项 |
1.一种用于半导体制造流程中规划制程工具的方 法,该方法包括: 收集与一制程工具中执行的制程步骤有关之至少 一产品效能特征的资讯; 依据该资讯决定至少一非预期之制程工具效能偏 移模式; 当进行该制程步骤时,监视该制程工具的操作及制 程参数値; 即时侦测及分类监视操作与制程参数中的偏离错 误値; 关联已分类之偏离错误値与已决定偏移模式;以及 依据已关联的偏离错误値及已决定偏移模式来动 态调整一或多个制程工具的该操作及制程参数値 。 2.如申请专利范围第1项所述之用于半导体制造流 程中规划制程工具的方法,其中该收集与一制程工 具中执行的制程步骤中,更包含收集该制程工具中 执行的每个该制程步骤之资讯。 3.如申请专利范围第1项所述之用于半导体制造流 程中规划制程工具的方法,更包含储存该资讯于一 资料库。 4.如申请专利范围第1项所述之用于半导体制造流 程中规划制程工具的方法,其中决定该偏移模式的 步骤中至少包含传送回授建议给该制程工具,以调 整该操作及制程参数値。 5.如申请专利范围第1项所述之用于半导体制造流 程中规划制程工具的方法,其中至少包含依据关联 的该偏离错误値及已决定的该偏移模式来决定该 操作及制程参数値的调整値。 6.如申请专利范围第5项所述之用于半导体制造流 程中规划制程工具的方法,其中决定该调整値的步 骤中,包含使用至少一资料处理模型,以对至少一 预定的工具效能参数値及该产品效能特征的指数 进行监别及建立关联性之步骤,以形成该调整量。 7.如申请专利范围第1项所述之用于半导体制造流 程中规划制程工具的方法,更包含累积已分类的该 偏离错误値、已决定的该偏移模式、以及该制程 工具的该操作及制程参数値,以建立至少一资料处 理模型。 8.如申请专利范围第1项所述之用于半导体制造流 程中规划制程工具的方法,其中该产品效能特征至 少包含预定的产品电气效能特征。 9.如申请专利范围第1项所述之用于半导体制造流 程中规划制程工具的方法,其中该产品效能特征至 少包含预定的产品物理效能特征。 10.一种用于半导体制造流程中规划制程工具的方 法,该方法包括: 收集与一制程工具中执行的制程步骤有关之至少 一产品效能特征的资讯; 依据该资讯决定至少一非预期的制程工具效能之 偏移模式; 依据该非预期的制程工具效能之该偏移模式,于该 制程工具完成该些制程步骤之后,调整至少一控制 与制程参数値; 当进行该制程步骤时,监视该制程工具的该控制与 制程参数値; 即时侦测及分类操作与制程参数中的偏离错误値; 关联已分类之偏离错误値与已决定偏移模式;以及 依据已关联的偏离错误値及已决定偏移模式来动 态调整一或多个制程工具的该操作及制程参数値, 其中系于完成该制程步骤时动态调整该制程调整 値之,以产生较佳的该制程工具之规划方法。 11.如申请专利范围第10项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的方法,更包含储存该资讯于 一资料库。 12.如申请专利范围第10项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的方法,其中决定该调整量的 步骤中,包含使用至少一资料处理模型,以对至少 一预定的工具效能参数値与该产品效能特征进行 监别及建立关联性,以形成该调整量。 13.如申请专利范围第10项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的方法,更包含累积已分类的 该偏离错误値、已决定的该偏移模式、以及该制 程工具的该控制与制程参数値,以建立至少一资料 处理模型。 14.如申请专利范围第10项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的方法,其中该产品效能特征 至少包含预定的产品电气效能特征。 15.如申请专利范围第10项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的方法,其中该产品效能特征 至少包含预定的产品物理效能特征。 16.一种用于半导体制造流程中规划制程工具的系 统,该系统至少包含: 一度量工具,用以收集与一制程工具中执行的制程 步骤有关之至少一产品效能特征的资讯; 一制程控器装置,依据该资讯决定至少一非预期的 制程工具效能之偏移模式; 一错误侦测及分类模组,当进行该制程步骤时,用 以监视该制程工具的操作及制程参数値,并且对该 操作及制程参数値中的偏离错误値作即时侦测及 分类;以及 一错误侦测及分类控制器,用以对该偏离错误値与 该偏移模式建立关联性,以动态地调整该制程工具 的该操作及制程参数値。 17.如申请专利范围第16项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的系统,更包含用于储存该资 讯之资料库。 18.如申请专利范围第16项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的系统,其中该错误侦测及分 类控制器至少包含依据关联的该偏离错误値及已 决定的该偏移模式来决定该操作及制程参数値的 调整値。 19.如申请专利范围第16项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的系统,其中该错误侦测及分 类控制器至少包含至少一资料处理模型,以对至少 一预定的工具效能参数値及该产品效能特征的指 数作监别及建立关联性,以形成该调整量。 20.如申请专利范围第19项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的系统,其中该错误侦测及分 类控制器至少包含一程式模组,用以累积已分类的 该偏离错误値、已决定的该偏移模式、以及该制 程工具的该操作及制程参数値,以建立至少一资料 处理模型。 21.如申请专利范围第16项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的系统,其中该产品效能特征 至少包含预定的产品电气效能特征。 22.如申请专利范围第16项所述之用于半导体制造 流程中规划制程工具的系统,其中该产品效能特征 至少包含预定的产品物理效能特征。 图式简单说明: 第1图系为一流程方块图,系绘示习知技术之半导 体制造操作中之制程与工具的控制方法。 第2图系为一流程方块图,系绘示依据本发明之一 实施例所揭露之适用于半导体制造操作之制程与 工具的控制方法。 第3图系为一流程方块图,系绘示依据本发明之一 实施例中半导体微影热板烘培制程之制程与工具 的控制方法。 第4图系为一流程图,系绘示依据所揭露之工具操 作方式实施例。 第5图为一流程图,系绘示依据所揭露之工具操作 方式之另一实施例。 |
