发明名称 单石化流体喷射装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种单石化流体喷射装置及其制造方法,此单石化流体喷射装置包括一基底,具有一第一表面,且上述基底之中具有一流体通道:一保护层,形成于上述基底之上述第一表面上;一电镀起始层,形成于上述保护层上方;一金属结构层,形成于上述电镀起始层上,此金属结构层与上述基底之上述第一表面间形成一流体腔,且上述保护层与上述金属结构层之中具有一喷孔,与上述流体腔连通。上述之单石化流体喷射装置可更包括一抗化性金属薄膜,形成于上述金属结构层上,且上述抗化性金属薄膜从此金属结构层上表面延伸至上述喷孔内。
申请公布号 TWI271320 申请公布日期 2007.01.21
申请号 TW095108130 申请日期 2006.03.10
申请人 明基电通股份有限公司 发明人 沈光仁;陈苇霖;洪益智
分类号 B41J2/16(2006.01);B81C1/00(2006.01) 主分类号 B41J2/16(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种单石化流体喷射装置的制造方法,包括: 提供一基底,且该基底具有一第一表面及一第二表 面; 形成一图案化牺牲层于该基底之该第一表面上; 形成一图案化保护层于该图案化牺牲层上; 形成一电镀起始层于该基底之该第一表面上,且覆 盖该图案化保护层; 形成一图案化光阻层于该电镀起始层上; 形成一金属结构层于暴露之该电镀起始层上,且该 金属结构层与该图案化光阻层相邻; 移除该图案化光阻层与该图案化光阻层下方的该 电镀起始层及该图案化保护层,以形成一喷孔。 2.如申请专利范围第1项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中更包括形成一加热元件及一驱 动电路于该基底之该第一表面上。 3.如申请专利范围第2项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该图案化牺牲层覆盖该加热元 件。 4.如申请专利范围第1项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该图案化牺牲层包括多晶矽、 磷矽玻璃或高分子聚合物。 5.如申请专利范围第4项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该高分子聚合物为光阻。 6.如申请专利范围第1项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该图案化保护层包括氮化矽、 氧化矽、多晶矽或高分子聚合物。 7.如申请专利范围第6项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该高分子聚合物为光阻。 8.如申请专利范围第7项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该光阻为BREWER SCIENCE INC.制作 的PSKTM2000光阻。 9.如申请专利范围第1项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该金属结构层包括镍、金、铜 、银、铬或其合金。 10.如申请专利范围第1项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该金属结构之厚度相近于该图 案化光阻层之厚度。 11.如申请专利范围第1项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中在形成该喷口后,更包括形成 一抗化性金属薄膜于该金属结构层上。 12.如申请专利范围第11项所述之单石化流体喷射 装置的制造方法,其中该抗化性金属薄膜为金或其 合金。 13.如申请专利范围第12项所述之单石化流体喷射 装置的制造方法,其中形成该抗化性金属薄膜的方 式包括电镀或无电镀法。 14.如申请专利范围第2项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该加热元件为金属。 15.如申请专利范围第2项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,其中该驱动电路为金属氧化物半导 体。 16.如申请专利范围第1项所述之单石化流体喷射装 置的制造方法,更包括由蚀刻该基底之该第二表面 ,形成一流体通道于该基底中,以露出该图案化牺 牲层。 17.如申请专利范围第16项所述之单石化流体喷射 装置的制造方法,进一步包括移除该图案化牺牲层 ,以形成一流体腔,且该流体腔与该喷孔及该流体 通道连通。 18.一种单石化流体喷射装置,包括: 一基底,具有一第一表面,且该基底之中具有一流 体通道; 一保护层,形成于该基底之该第一表面上; 一电镀起始层,形成于该保护层上方; 一金属结构层,形成于该电镀起始层上,该金属结 构层与该基底之该第一表面间形成一流体腔,且该 保护层与该金属结构层之中具有一喷孔,与该流体 腔连通。 19.如申请专利范围第18项所述之单石化流体喷射 装置,其中更包括形成一加热元件及一驱动电路于 该基底之该第一表面上。 20.如申请专利范围第19项所述之单石化流体喷射 装置,其中该加热元件位于流体腔中。 21.如申请专利范围第18项所述之单石化流体喷射 装置,其中该保护层包括氮化矽、氧化矽、多晶矽 或高分子聚合物。 22.如申请专利范围第21项所述之单石化流体喷射 装置,其中该高分子聚合物为光阻。 23.如申请专利范围第18项所述之单石化流体喷射 装置,其中该保护层厚度范围介于3000-4000。 24.如申请专利范围第18项所述之单石化流体喷射 装置,其中该电镀起始层厚度范围介于900-1100。 25.如申请专利范围第18项所述之单石化流体喷射 装置,其中该金属结构层包括镍、金、铜、银、铬 或其合金。 26.如申请专利范围第18项所述之单石化流体喷射 装置,其中该流体腔与该喷孔及该流体通道连通。 27.如申请专利范围第18项所述之单石化流体喷射 装置,更包括一抗化性金属薄膜,形成于该金属结 构层上,且该抗化性金属薄膜从该金属结构层上表 面延伸至该喷孔内。 28.如申请专利范围第27项所述之单石化流体喷射 装置,其中该抗化性金属薄膜为金或其合金。 29.如申请专利范围第27项所述之单石化流体喷射 装置,其中形成该抗化性金属薄膜的方式包括电镀 或无电镀法。 30.如申请专利范围第19项所述之单石化流体喷射 装置,其中该加热元件为金属。 31.如申请专利范围第19项所述之单石化流体喷射 装置,其中该驱动电路为金属氧化物半导体。 图式简单说明: 第1图为一种习知的单石化流体喷射装置剖面图。 第2a-2n图为本发明之单石化流体喷射装置第一实 施例之一系列制程剖面图。 第3图为本发明之单石化流体喷射装置第二实施例 之剖面图。
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