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发明名称
A field oxide layer in semiconductor device and method for forming the same
摘要
申请公布号
KR100672156(B1)
申请公布日期
2007.01.19
申请号
KR20050039439
申请日期
2005.05.11
申请人
发明人
分类号
H01L21/76
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
主权项
地址
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