发明名称 A field oxide layer in semiconductor device and method for forming the same
摘要
申请公布号 KR100672156(B1) 申请公布日期 2007.01.19
申请号 KR20050039439 申请日期 2005.05.11
申请人 发明人
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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