| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de diminution de la rugosité d'une couche épaisse d'isolant (2), déposée sur un substrat (1) destiné à être utilisé dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique.Le procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à :- déposer une couche d'isolant (2) dont la rugosité est supérieure ou égale à 3 angstroms RMS, sur ledit substrat (1),- procéder à un traitement de lissage de la surface libre (20) de cette couche d'isolant (2), en utilisant un plasma gazeux, formé dans une enceinte à l'intérieur de laquelle règne une pression de gaz supérieure à 0,25 Pa, ce plasma étant créé à l'aide d'un générateur de radiofréquences RF, qui fonctionne avec une puissance telle, qu'il permet d'appliquer à ladite couche d'isolant (2), une densité de puissance supérieure à 0,6 W/cm<2>, la durée de ce traitement de lissage étant d'au moins 10 secondes.L'invention concerne également un procédé de transfert de couche sur la surface de l'isolant ainsi traité.
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